孙剑

作品数：1被引量：3H指数：1
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供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文主题：A-SI:HA-SI氮化硅薄膜晶体管非晶硅更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《无机材料学报》更多>>
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薄膜晶体管a－Si：H／a－SiN_x界面研究被引量：3
《无机材料学报》1996年第1期183-187,共5页胡宇飞 孙剑 钟伯强 黄慈祥 潘惠英 
对比ａ－Ｓｉ：Ｈ／ａ－ＳｉＮｘ界面附近ａ－Ｓｉ：Ｈ和体材料ａ－Ｓｉ：Ｈ的光致发光谱（ＰＬ）发现：随着ＳｉＮｘ中ｘ的增大，ＰＬ峰值向低能方向移动，相对发光强度减小。这是因为由于氮含量的增加，界面晶格不匹配加剧，导致悬挂...
关键词：界面 薄膜晶体管 非晶硅 氮化硅 
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