钟伯强

作品数:10被引量:18H指数:3
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供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文主题:液晶显示液晶显示器彩色玻璃彩色滤色膜薄膜太阳电池更多>>
发文领域:电子电信电气工程化学工程理学更多>>
发文期刊:《无机材料学报》《上海电力》《应用激光》《半导体光电》更多>>
所获基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
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薄膜太阳电池被引量:3
《上海电力》2006年第4期364-371,共8页钟伯强 
硅太阳电池的应用日趋广泛,但昂贵的原材料成为其发展的瓶颈。薄膜太阳电池由于只需使用一层极薄的光电材料,材料使用非常少,并可使用软性衬底,应用弹性大,如果技术发展成熟,其市场面将相当宽阔。文章就迄今被人们广为关注的各类薄膜太...
关键词:光伏电池 薄膜太阳电池 光电转换效率 
用催化CVD法研制优质a-Si薄膜被引量:1
《半导体光电》1997年第6期414-417,共4页钟伯强 黄慈祥 潘惠英 
国家自然科学基金
用新的催化CVD法在约350℃的低温条件下研制出了a-Si薄膜。本方法是利用催化剂,使SiH4和H2混合气体在一定温度下反应而裂解,在衬底上沉积a-Si薄膜。所制出的a-Si薄膜具有良好的光电特性,光电灵敏度超过10...
关键词:生长速率 a-硅薄膜 催化CVD法 
彩色铁电液晶显示器
《半导体光电》1996年第2期141-146,共6页钟伯强 黄慈祥 潘惠英 
国家863高新技术资助
彩色滤波膜、透明导电膜、表面稳定的铁电液晶取向膜等构成了彩色铁电液晶显示器的主要材料。文章论述了彩色铁电液晶显示器的制造和性能。制出的铁电液晶显示器,其对比度达84:1,上升时间为110μs,下降时间为76μs。
关键词:铁电液晶 彩色滤色膜 液晶显示器 
薄膜晶体管a-Si:H/a-SiN_x界面研究被引量:3
《无机材料学报》1996年第1期183-187,共5页胡宇飞 孙剑 钟伯强 黄慈祥 潘惠英 
对比a-Si:H/a-SiNx界面附近a-Si:H和体材料a-Si:H的光致发光谱(PL)发现:随着SiNx中x的增大,PL峰值向低能方向移动,相对发光强度减小。这是因为由于氮含量的增加,界面晶格不匹配加剧,导致悬挂...
关键词:界面 薄膜晶体管 非晶硅 氮化硅 
PCVD法对碳化硅陶瓷的表面改性研究被引量:1
《无机材料学报》1996年第1期73-77,共5页谭寿洪 陆忠乾 黄玉珍 沈月华 钟伯强 
利用等离子辉光放电化学气相沉积技术(PCVD),控制甲烷与磋烷质量流量比、硅烷与氨质量流量比,在碳化硅基体表面分别沉积上无定形碳化硅和氨化硅薄膜,研究其膜的组成、沉积工艺、厚度等对碳化硅陶瓷的强度改性影响.在一定的沉...
关键词:氮化硅 表面改性 PCVD法 碳化硅陶瓷 
用于液晶显示的透明导电膜被引量:9
《无机材料学报》1995年第1期125-128,共4页钟伯强 俞大畏 潘惠英 
国家863经费资助
采用低衬底温度射频溅射的方法制得了低电阻率、高透过率的透明导电膜,沉积时的氧分压、衬底温度等对透明导电膜有很大的影响.衬底温度为室温时,制出了4.5×10-4Ω·cm的透明导电膜.在彩色滤色膜或保护膜上沉积透明导电膜...
关键词:导电膜 液晶显示 彩色滤色膜 溅射 
非晶硅太阳电池的激光刻划
《应用激光》1991年第3期110-114,共5页王又良 施亚玲 苏小荣 严淑敏 徐红 蒋加文 李连华 沈玉明 龚焕明 钟伯强 
对一台用于非晶硅太阳电池的激光刻划和计算机控制系统进行了理论分析,成功地完成了非晶硅和透明导电膜的刻划工艺。
关键词:太阳能电池 激光刻划 计算机控制 
非晶薄膜的硬度测量
《无机材料学报》1991年第3期380-381,共2页钟伯强 朱文娟 陆忠乾 
用努普(Knoop)压痕法测量了沉积在普通玻璃上的 ITO,SnO_2和非晶硅薄膜的硬度。在0.245N 负荷下测得它们的硬度分别是7232、7987和4929MPa。这些薄膜材料的硬度取决于薄膜制备方法和制备时的工艺条件,同时也与测量方法有关。不同衬底温...
关键词:ITO SNO2 薄膜 非晶硅 硬度 
锗硫锑非晶薄膜材料的组成和光隙
《无机材料学报》1990年第1期73-77,共5页钟伯强 
用 EPMA 分析了真空蒸发制得的(Ge_(0.3)S_(0.7))_(100-x)(Sb_(0.4)S_(0.6))_x 和(Ge_(0.42)S_(0.58)_(100-x)(Sb_(0.4)S_(0.6)_x 薄膜样品的组成,发现薄膜中 Ge、S、Sb 的含量与作为蒸发源的相应的块样中的含量不同。同时测量了两类薄...
关键词:硫系薄膜 锗硫锑 非晶薄膜 光隙 
激光刻图在制造 a-Si 光伏器件中的应用被引量:1
《无机材料学报》1989年第3期269-275,共7页钟伯强 肖兵 
描述了在集成型 a-Si 光伏器件的制造中,利用高功率激光束进行刻图的新方法。作为激光刻图中材料除去的模型,被刻蚀材料的蒸汽压对材料除去会带来很大的影响。在制备 a-Si 光伏器件中,侧边接触的器件结构对激光刻图技术是很合适的。激...
关键词:激光刻图 α-Si 光伏器件 
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