肖兵

作品数：13被引量：47H指数：5
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供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文主题：碳化硅晶体生长碳化硅单晶SIC掺杂更多>>
发文领域：理学电子电信电气工程化学工程更多>>
发文期刊：《物理学报》《人工晶体学报》《材料导报》《上海硅酸盐》更多>>
所获基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金国家高技术研究发展计划中国科学院知识创新工程更多>>
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氢氟酸刻蚀对Ni/6H-SiC接触性质的作用被引量：2
《物理学报》2009年第5期3443-3447,共5页黄维 陈之战 陈博源 张静玉 严成锋 肖兵 施尔畏 
国家高技术研究发展计划(863)(批准号:2006AA03A146);中国科学院知识创新项目(批准号:KGCX2-YW-206);上海自然科学基金(批准号:06ZR14096);高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室开放基金(批准号:SKL200810SIC)资助的课题~~
采用浓度为10%的氢氟酸(HF)刻蚀6H-SiC单晶片,研究了HF刻蚀时间对Ni/6H-SiC接触性质的影响.经24h刻蚀的SiC基片在溅射Ni层后,其接触表现良好线性的电流-电压(I-V)曲线.低于这个腐蚀时间的接触具有明显的势垒,但在大于1000℃快速退火后,...
关键词：欧姆接触 SIC 富碳层 互扩散 
超快大功率SiC光导开关的研究被引量：12
《无机材料学报》2008年第3期425-428,共4页严成锋 施尔畏 陈之战 李祥彪 肖兵 
国家863计划(2006AA03A146);中国科学院知识创新工程项目(KGCX2-YW-206);上海市自然科学基金(06ZR14096)
选用钒掺杂浓度为0．2at％的高质量6H-SiC晶体，电阻率为7．0×10^8Ω·cm，研制出超快大功率SiC光导开关．在脉冲宽度为20ns的光源激发下，分别测试了在不同的偏置电压和光能条件下开关的电脉冲输出特性．结果表明：1mm电极间隙的SiC...
关键词：碳化硅 钒掺杂 半绝缘 光导开关 
铝掺杂6H-SiC晶体拉曼光谱的温度特性研究被引量：7
《无机材料学报》2008年第2期238-242,共5页李祥彪 施尔畏 陈之战 肖兵 
国家863计划项目(2006AA03A146);国防科工委基金;上海市自然科学基金(06ZR14096)
采用物理气相传输法生长了Al掺杂和非掺杂的6H-SiC晶体,测量了从室温到400℃的拉曼光谱.由于晶体的热膨胀作用及光声子散射过程中的衰减,导致两种样品的拉曼谱峰均向低波数移动,并且发生展宽.随着温度升高,Al掺杂样品中的等离子体激元增...
关键词：碳化硅单晶 变温拉曼光谱 掺杂 自由载流子 
原料对碳化硅单晶生长的影响被引量：5
《无机材料学报》2003年第4期737-743,共7页陈之战 施尔畏 肖兵 庄击勇 
国家自然科学基金(50132040)
研究了具有立方结构的碳化硅(β-SiC)粉料在单晶生长过程中的物相变化及对生长晶体均匀性、缺陷等的影响。实验发现,在晶体生长过程中原料的晶型转变和Si、C挥发不一致造成晶体沿生长方向存在一个Si/C摩尔比的最大值。晶体中的针孔等缺...
关键词：碳化硅原料 碳化硅单晶 相转变 Si/C摩尔比 针孔 
大尺寸6H-SiC半导体单晶材料的生长被引量：7
《无机材料学报》2002年第4期685-690,共6页陈之战 肖兵 施尔畏 庄击勇 刘先才 
国家自然科学基金重点项目(51032040);中国科学院上海硅酸盐研究所所长择优基金资助
报道了生长SiC单晶的PVT法生长工艺,研究了晶体生长温度、温度梯度、生长室压力、杂质等因素对晶体生长和晶体质量的影响,确定出合理的工艺条件,生长出φ45mmSiC单晶.X射线衍射表明,生长的单晶为6H多型结构,通过腐蚀法得到晶体中微管道...
关键词：6H-SIC 半导体 碳化硅单晶 晶体生长 PVT法 微管道 
SiC单晶生长研究进展被引量：3
《材料导报》2002年第6期32-34,38,共4页陈之战 施尔畏 肖兵 庄击勇 
国家自然科学基金(50132040);中国科学院上海硅酸盐研究所所长择优基金
SiC单晶生长是一个引人注目的研究热点,受到各国政府、科研人员的广泛关注。本文综述了SiC单晶生长的研究进展,对目前广泛采用的PVT法进行了详细介绍,讨论了原料、籽晶、温度、温度梯度、载体气压对单晶生长和质量的影响。对今后的研究...
关键词：SIC 单晶生长 PVT法 碳化硅 半导体材料 
对红光灵敏的全息存储介质的研究被引量：1
《人工晶体学报》2000年第S1期173-,共1页束碧云 徐良瑛 肖兵 施尔畏 
全息数据存储的主要优点是存储容量大、存取速度快。这两项优点来自全息存储的三纸记录及一次同时读出一整页数据这两个性能。LiNbO3 :Fe是目前公认最有实用价值的全息存储介质。进行了许多卓有成效的研究。但是这些研究大多集中在兰绿...
关键词：LiNbO_3晶体 掺杂 全息存储 
SiC单晶的性质、生长及应用被引量：11
《无机材料学报》1999年第4期527-534,共8页王世忠 徐良瑛 束碧云 肖兵 庄击勇 施尔畏 
中国博士后科学基金; "863" 高技术计划
本文综述了 Ｓｉ Ｃ 单晶的物理性质、晶体结构、制备过程以及应用等详细地介绍了大尺寸 Ｓｉ Ｃ 单晶的 Ｐ Ｖ Ｔ 法制备和该过程中的关键要素， 分析了 Ｐ Ｖ Ｔ 法制备的 Ｓｉ
关键词：碳化硅 单晶 半导体器件 晶体生长 PVT法 
Ti:Fe:LiNbO_3晶体的生长及其光折变性能的研究
《无机材料学报》1998年第3期296-302,共7页董斌 徐良瑛 束碧云 肖兵 
国家自然科学基金!69577021
采用熔体提拉法生长了不同掺杂浓度的Ti：Fe：LiNbO3晶体．研究了掺杂杂质离子浓度变化对晶体光折变性能的影响，测定了晶体经热化学还原处理前后的透射谱．用ESR方法证实，未经还原处理时，Ti：Fe：LiNbO3晶体中Ti离子以Ti4+形式存在．...
关键词：提拉法 晶体生长 光折变效应 
Nd:Zn:LiNbO_3晶体的生长及抗光伤性能被引量：1
《无机材料学报》1998年第2期157-161,共5页范茹 徐良瑛 范立群 肖兵 束碧云 孙真荣 
以熔体提拉法生长了Nd：Zn：LiNbO3晶体，研究了最佳生长条件．对晶体的光学均匀性参数一双折射梯度及消光比做了测试．研究了晶体的光致双折射变化及其红外透射谱，证明它有很好的抗光伤性能．
关键词：LINBO3 晶体生长 提拉法 激光晶体 掺钕 掺锌 
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