SiC单晶的性质、生长及应用  

Physical Properties, Bulk Growth, and Applications of SiC Single Crystal

作　　者：王世忠[1] 徐良瑛[1] 束碧云[1] 肖兵[1] 庄击勇[1] 施尔畏[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050

出　　处：《无机材料学报》1999年第4期527-534,共8页Journal of Inorganic Materials

基　　金：中国博士后科学基金; "863" 高技术计划

摘　　要：本文综述了 Ｓｉ Ｃ 单晶的物理性质、晶体结构、制备过程以及应用等详细地介绍了大尺寸 Ｓｉ Ｃ 单晶的 Ｐ Ｖ Ｔ 法制备和该过程中的关键要素， 分析了 Ｐ Ｖ Ｔ 法制备的 ＳｉThis article reviewed on the physical properties, the crystal structure, the growth methods, and the applications of the SiC single crystal The preparation of the SiC single crystal by sublimation method was introduced in detail The defects of SiC single crystal caused in the PVT process were discussed

关 键 词：碳化硅 单晶 半导体器件 晶体生长 PVT法 

分 类 号：O782[理学—晶体学] O613.72