庄击勇

作品数：5被引量：50H指数：4
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供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文主题：碳化硅晶片夹具夹持多线切割机更多>>
发文领域：理学电子电信化学工程金属学及工艺更多>>
发文期刊：《无机材料学报》《材料导报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
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原料对碳化硅单晶生长的影响被引量：5
《无机材料学报》2003年第4期737-743,共7页陈之战 施尔畏 肖兵 庄击勇 
国家自然科学基金(50132040)
研究了具有立方结构的碳化硅(β-SiC)粉料在单晶生长过程中的物相变化及对生长晶体均匀性、缺陷等的影响。实验发现,在晶体生长过程中原料的晶型转变和Si、C挥发不一致造成晶体沿生长方向存在一个Si/C摩尔比的最大值。晶体中的针孔等缺...
关键词：碳化硅原料 碳化硅单晶 相转变 Si/C摩尔比 针孔 
大尺寸6H-SiC半导体单晶材料的生长被引量：7
《无机材料学报》2002年第4期685-690,共6页陈之战 肖兵 施尔畏 庄击勇 刘先才 
国家自然科学基金重点项目(51032040);中国科学院上海硅酸盐研究所所长择优基金资助
报道了生长SiC单晶的PVT法生长工艺,研究了晶体生长温度、温度梯度、生长室压力、杂质等因素对晶体生长和晶体质量的影响,确定出合理的工艺条件,生长出φ45mmSiC单晶.X射线衍射表明,生长的单晶为6H多型结构,通过腐蚀法得到晶体中微管道...
关键词：6H-SIC 半导体 碳化硅单晶 晶体生长 PVT法 微管道 
SiC单晶生长研究进展被引量：3
《材料导报》2002年第6期32-34,38,共4页陈之战 施尔畏 肖兵 庄击勇 
国家自然科学基金(50132040);中国科学院上海硅酸盐研究所所长择优基金
SiC单晶生长是一个引人注目的研究热点,受到各国政府、科研人员的广泛关注。本文综述了SiC单晶生长的研究进展,对目前广泛采用的PVT法进行了详细介绍,讨论了原料、籽晶、温度、温度梯度、载体气压对单晶生长和质量的影响。对今后的研究...
关键词：SIC 单晶生长 PVT法 碳化硅 半导体材料 
SiC单晶的性质、生长及应用被引量：11
《无机材料学报》1999年第4期527-534,共8页王世忠 徐良瑛 束碧云 肖兵 庄击勇 施尔畏 
中国博士后科学基金; "863" 高技术计划
本文综述了 Ｓｉ Ｃ 单晶的物理性质、晶体结构、制备过程以及应用等详细地介绍了大尺寸 Ｓｉ Ｃ 单晶的 Ｐ Ｖ Ｔ 法制备和该过程中的关键要素， 分析了 Ｐ Ｖ Ｔ 法制备的 Ｓｉ
关键词：碳化硅 单晶 半导体器件 晶体生长 PVT法 
铝氢氧化物和氧化物晶粒的热液法制备及其形成机理被引量：26
《中国科学（E辑）》1998年第2期113-118,共6页田明原 施尔畏 元如林 王步国 李汶军 仲维卓 庄击勇 
国家自然科学基金资助项目 !(批准号 :5 9772 0 0 2 )
系统地研究了热液条件下铝氢氧化物和氧化物晶粒的物相、生长形态与反应条件的关系 ,并以负离子配位多面体生长基元模型为基础 ,通过生长基元稳定能计算 ,研究了这类晶体的形成过程 .
关键词：热液法 铝氢氧化物 铝氧化物 晶粒 氧化铝陶瓷 
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