SiC单晶生长研究进展  

Progress in SiC Single Crystal Growth Research

作　　者：陈之战[1] 施尔畏[1] 肖兵[1] 庄击勇[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050

出　　处：《材料导报》2002年第6期32-34,38,共4页Materials Reports

基　　金：国家自然科学基金(50132040);中国科学院上海硅酸盐研究所所长择优基金

摘　　要：SiC单晶生长是一个引人注目的研究热点,受到各国政府、科研人员的广泛关注。本文综述了SiC单晶生长的研究进展,对目前广泛采用的PVT法进行了详细介绍,讨论了原料、籽晶、温度、温度梯度、载体气压对单晶生长和质量的影响。对今后的研究方向提出了看法。SiC single crystal growth is reviewed in this article.The preparation of single crystal by PVT method is introduced in detail.The effects of raw materials,seed,temperature,temperature gradient and Ar pressure on crystal growth and quality are discussed,and future research trends is suggested.

关 键 词：SIC 单晶生长 PVT法 碳化硅 半导体材料 

分 类 号：TN304.24[电子电信—物理电子学] TN304.053