陆忠乾

作品数：7被引量：33H指数：3
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供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文主题：碳化硅陶瓷化学气相沉积法纳米材料晶化纳米粉体更多>>
发文领域：化学工程电子电信理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《无机材料学报》《硅酸盐学报》《发光学报》更多>>
所获基金：国家攀登计划更多>>
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纳米SiC蓝光发射的研究被引量：5
《发光学报》1999年第1期50-54,共5页刘渝珍 黄允兰 石万全 刘世祥 姚德成 张庶元 韩一琴 陆忠乾 谭寿洪 江东亮 
中国科技大学研究生院院长择优基金
在４．６８ｅＶ的激光激发下，室温ＣＶＤ合成的纳米ＳｉＣ粉体，可发射４７５ｎｍ的蓝光，经６００～１１００℃在Ｎ２气氛下进行快速退火（ＲＴＡ）处理，其荧光强度随退火温度升高而增强，当Ｔ≥９００℃时，荧光强度下降，但发光峰...
关键词：蓝色荧光 快速热退火 纳米级 碳化硅粉体 
CVD法合成的无定型纳米粉体的晶化被引量：1
《硅酸盐学报》1998年第1期118-123,共6页陆忠乾 江东亮 谭寿洪 严东生 
国家攀登计划A-"纳米材料科学"资助项目
以六甲基二硅氨烷（ＨＭＤＳ）为原料，采用ＣＶＤ方法，在不同温度下合成的粉体，经ＸＲＤ测定，确定为无定型．经不同温度晶化处理后，发现１０００℃时合成粉体随着晶化温度的提高，颗粒长大并变长，接近哑铃状．经１５００℃晶化处...
关键词：化学气相沉积法 晶化 无定型 纳米材料 陶瓷 
PCVD法合成的无定形Si_3N_4纳米粉末和薄膜的红外特性比较
《无机材料学报》1997年第3期435-439,共5页陆忠乾 江东亮 谭寿洪 
用等离子冷放电化学气相法（PCVD）合成的高纯、超细的无定形Si3N4粉末，储放了不同时间和在红外灯下烘烤短时间后，进行红外光谱的测定．发现合成的粉末刚暴露于空气中就产生了氧化，而后随着储放时问的延长，表面氧化愈来愈严重，Si－...
关键词：氧化 红外光谱 氮化硅陶瓷 纳米粉末 PCVD法 
六甲基二硅胺烷(HMDS)为原料CVD制备硅基纳米粉体的研究被引量：7
《无机材料学报》1997年第3期356-362,共7页江东亮 陆忠乾 黄政仁 严东生 
国家攀登计划A"纳米材料科学"项目
以六甲基二硅胺烷作原料，用CVD法合成的纳米粉体，在1000～1500℃温度范围内合成的均属无定形，1000℃合成的纳米颗粒呈圆球形，粒径8～10nm，少量25～30nm．在1400℃高温下合成的颗粒较均匀，为8～10nm的圆球形．经高温晶化处理后，...
关键词：晶化 甲基二硅胺烷 纳米粉体 气相沉积 硅 
化学气相沉积法制备SiC纳米粉被引量：19
《无机材料学报》1996年第3期441-447,共7页梁博 黄政仁 江东亮 谭寿洪 陆忠乾 
"攀登计划"资助
本工作采用二甲基二氯硅烷和氢气为原料，在１１００～１４００℃温度条件下，通过化学气相沉积制备出了高纯、低氧含量的纳米ＳｉＣ粉体·实验结果指出，在１１００～１３００℃；制备得到的粉体颗粒由无定型相和β－ＳｉＣ微晶组成；...
关键词：化学气相沉积 纳米材料 碳化硅陶瓷 
PCVD法对碳化硅陶瓷的表面改性研究被引量：1
《无机材料学报》1996年第1期73-77,共5页谭寿洪 陆忠乾 黄玉珍 沈月华 钟伯强 
利用等离子辉光放电化学气相沉积技术（ＰＣＶＤ），控制甲烷与磋烷质量流量比、硅烷与氨质量流量比，在碳化硅基体表面分别沉积上无定形碳化硅和氨化硅薄膜，研究其膜的组成、沉积工艺、厚度等对碳化硅陶瓷的强度改性影响．在一定的沉...
关键词：氮化硅 表面改性 PCVD法 碳化硅陶瓷 
非晶薄膜的硬度测量
《无机材料学报》1991年第3期380-381,共2页钟伯强 朱文娟 陆忠乾 
用努普(Knoop)压痕法测量了沉积在普通玻璃上的 ITO,SnO_2和非晶硅薄膜的硬度。在0.245N 负荷下测得它们的硬度分别是7232、7987和4929MPa。这些薄膜材料的硬度取决于薄膜制备方法和制备时的工艺条件,同时也与测量方法有关。不同衬底温...
关键词：ITO SNO2 薄膜 非晶硅 硬度 
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