菅洪彦

作品数：6被引量：10H指数：2
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供职机构：复旦大学更多>>
发文主题：电感片上电感寄生电容金属互连线平面螺旋电感更多>>
发文领域：电子电信电气工程更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《电子学报》更多>>
所获基金：“上海－应用材料研究与发展”基金上海市科学技术委员会资助项目更多>>
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多电流路径抑制片上电感电流拥挤效应被引量：5
《Journal of Semiconductors》2006年第9期1690-1694,共5页刘珂 菅洪彦 黄晨灵 唐长文 闵昊 
从电磁理论出发解释了片上电感电流分配的原因,得出小横界面积金属的趋肤效应弱,大的金属线宽和相邻金属间距比的偶耦合临近效应小的结论.采用4层金属的0.35μm标准CMOS工艺制造片上电感,将差分电感的单电流路径,分成多电流路径并联,在...
关键词：片上电感 品质因数 趋肤效应 临近效应 多电流路径 自谐振频率 串联电阻 寄生电容 
电感电容压控振荡器调谐曲线的时域分析被引量：3
《电子学报》2005年第8期1467-1472,共6页唐长文 何捷 菅洪彦 张海青 闵昊 
上海市科学技术委员2003年度集成电路设计科技专项(No.037062019);上海-应用材料研究与发展基金(No.0425)
本文提出了一种基于周期计算技术的压控振荡器频率-电压调谐曲线的分析方法.在传统的谐波平衡近似方法中,通过大信号非线性分析方法可以计算出一个周期内可变电容的有效电容值.然而通过有效电容推导的调谐曲线并不准确,况且如果高阶谐...
关键词：MOS管可变电容 电感电容回路 压控振荡器 累积型MOS管 振荡调谐曲线 
可缩放的开路通路地屏蔽电感在片测试结构去嵌入方法被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第8期1656-1661,共6页菅洪彦 唐珏 唐长文 何捷 闵昊 
上海市科委(批准号:037062019);上海应用材料基金(批准号:0425)资助项目~~
建立了标准CMOS工艺电感在片测试寄生参量模型.实验验证了相同频率时,信号线寄生的串联电阻、串联电感、并联电容与信号线的长度成正比.进而针对不同外径电感到焊盘之间信号线长度不同,采用相同去嵌入结构引起测量误差,不同的测试去嵌...
关键词：片上电感 按比例缩放 开路通路去嵌入 在片测试 
Patterned Dual pn Junctions Restraining Substrate Loss of an On-Chip Inductor
《Journal of Semiconductors》2005年第7期1328-1333,共6页菅洪彦 唐珏 唐长文 何捷 闵昊 
上海市科委(批准号:037062019);上海应用材料研究生发展基金(批准号:0425)资助项目~~
Dual pn junctions in lateral and vertical directions are formed by diffusing the p^＋ on the patterned n-well in standard CMOS technology, which are inserted under the inductor in order to reduce the currents in the s...
关键词：on-chip inductor patterned dual pnjunctions eddy current substrate loss 
Analysis and Optimum Design of Differential Inductors Using Distributed Capacitance Model
《Journal of Semiconductors》2005年第6期1077-1082,共6页菅洪彦 唐长文 何捷 闵昊 
上海市科委资助项目(批准号:037062019)~~
A distributed capacitance model for monolithic inductors is developed to predict the equivalently parasitical capacitances of the inductor.The ratio of the self-resonant frequency (f SR) of the differential-driven sym...
关键词：distributed capacitance model self-resonant frequency ratio quality factor differential inductor optimum design 
An Accurate 1.08GHz CMOS LC Voltage-Controlled Oscillator被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第5期867-872,共6页唐长文 何捷 菅洪彦 闵昊 
上海市科学技术委员2003年度集成电路设计科技专项(批准号:037062019);上海应用材料研究与发展基金(批准号:0425)资助项目~~
An accurate 1.08GHz CMOS LC voltage-controlled oscillator is implemented in a 0.35μm standard 2P4M CMOS process.A new convenient method of calculating oscillator period is presented.With this period calculation tech...
关键词：MOS varactor LC tank voltage-controlled oscillator oscillator tuning curve 
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