黄云

作品数：1被引量：0H指数：0
导出分析报告
供职机构：中国电子产品可靠性与环境试验研究所更多>>
发文主题：电子器件单粒子效应单粒子电场失效率更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
MESFET肖特基势垒结参数提取及I-V曲线拟合
《固体电子学研究与进展》2002年第3期329-332,343,共5页黄云 费庆宇 
运用双指数函数模型方法分析了影响 MESFET的 Ti Pt Au-Ga As肖特基势垒结特性的各种因素及各因素间的关系 ,编制了 MESFET肖特基势垒结结参数提取和 I-V曲线拟合软件 ,实现了通过栅源正向 I-V实验数据提取反映肖特基势垒结特性的六个...
关键词：MESFET 金属肖特基势垒场效应晶体管 参数提取 曲线拟合 寄生电阻 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部