关口隆史

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：东北大学材料与冶金学院更多>>
发文主题：硅金属杂质SI单晶单晶金属更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
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Si晶体中Cu和Fe杂质在Frank型位错上的不同沉淀行为
《Journal of Semiconductors》1998年第7期489-492,共4页沈波 陈鹏 陈志忠 张荣 施毅 关口隆史 角野浩二 
本文运用电子束感应电流技术和透射电子显微镜研究了直拉Ｓｉ单晶中Ｃｕ和Ｆｅ杂质在Ｆｒａｎｋ型位错上的沉淀行为．发现尽管在Ｓｉ中Ｃｕ杂质浓度远高于Ｆｅ杂质，但Ｃｕ杂质不沉淀在Ｆｒａｎｋ型位错上，而Ｆｅ杂质会沾污Ｆｒａｎｋ...
关键词：硅 铜 铁 金属杂质 沉淀 
直拉型Si单晶中金属杂质对氧沉淀行为的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》1997年第2期118-123,共6页沈波 杨凯 张序余 施洪涛 张荣 施毅 郑有炓 关口隆史 角野浩二 
本文研究了直拉型Si单晶中Cu和Fe杂质对氧沉淀行为的影响．尽管Si晶体中Cu杂质的浓度远高于Fe杂质，但发现Cu对氧沉淀行为没有影响，而Fe会明显增强氧的沉淀速率．实验结果表明Cu在Si中形成低密度、大尺寸的沉淀物团簇，与Si晶体生长后...
关键词：硅 氧沉淀行为 单晶 金属杂质 
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