刘文德

作品数:4被引量:1H指数:1
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供职机构:内蒙古大学更多>>
发文主题:电解质薄膜脉冲激光沉积YSZ超晶格STO更多>>
发文领域:理学电子电信电气工程更多>>
发文期刊:《人工晶体学报》《真空科学与技术学报》《真空》更多>>
所获基金:国家自然科学基金更多>>
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YSZ/STO/YSZ-STO超晶格电解质薄膜低温电学特性
《真空科学与技术学报》2015年第1期33-37,共5页康振锋 刘文德 李强 郑平平 范悦 薄青瑞 肖玲玲 丁铁柱 
国家自然科学基金项目(批准号:11264025)
采用脉冲激光沉积法,在单侧抛光的STO基底上制备YSZ/STO/YSZ超品格薄膜。利用x射线衍射、扫描电镜和射频阻抗/材料分析仪对多层膜的物相结构、表面形貌以及电学特性等进行表征。实验结果发现,YSZ/STD/YSZ超晶格薄膜在300~500%...
关键词:YSZ/STO/YSZ—STO超晶格多层薄膜 脉冲激光沉积 电导活化能 电导率 
低温超晶格YSZ/STO/YSZ电解质薄膜的制备及表征
《人工晶体学报》2014年第12期3135-3139,共5页刘华艳 李强 康振锋 刘文德 范悦 丁铁柱 
国家自然科学基金(11264025)
采用脉冲激光沉积法(PLD),在Al2O3(ALO)衬底上,将Y2O3∶ZrO2(YSZ)和SrTiO3(STO)按照YSZ/STO/YSZ的顺序依次沉积,形成超晶格YSZ/STO/YSZ电解质薄膜,利用SEM、XRD和交流阻抗对其形貌、相结构和电学性能进行了表征。结果表明,衬底温度为70...
关键词:脉冲激光沉积 超晶格 YSZ/STO/YSZ 电解质薄膜 电导率 
CuGaSe_2∶Ge中间带半导体材料的制备被引量:1
《人工晶体学报》2014年第8期1921-1925,共5页郑平平 丁铁柱 康振锋 刘文德 李强 肖玲玲 
国家自然科学基金(11264025);内蒙古自治区重大基础研究开放课题(20130902)
采用脉冲激光沉积(PLD)法在钠钙玻璃衬底上制备了CuGaSe2∶Ge薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对CuGaSe2∶Ge薄膜的晶体结构和表面形貌进行了表征,采用紫外-可见分光光度计分析了CuGaSe2∶Ge薄膜的光吸收、反射和透射...
关键词:脉冲激光沉积 CuGaSe2∶Ge薄膜 中间带 禁带宽度 
CIGS双梯度带隙吸收层的制备及特性
《真空》2014年第1期48-52,共5页李强 康振锋 刘文德 郑平平 肖玲玲 范悦 薄青瑞 齐彬彬 丁铁柱 
国家自然科学基金项目(批准号:11264025);内蒙古自治区重大基础研究开放课题(批准号20130902)
采用脉冲激光沉积(PLD)方法,在钠钙玻璃上沉积不同Ga含量的CuIn(1-x)Gax Se2薄膜,研究不同Ga含量对CIGS薄膜结构及光学特性的影响。研究表明:随着Ga含量增加,CIGS薄膜的光学带隙增大。优选特性较好的CIGS沉积在同一个钠钙玻璃衬底上,使G...
关键词:脉冲激光沉积 CuIn(1-x)Ga^Se2 XPS逐层刻蚀 双梯度带隙 
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