张文清

作品数：1被引量：1H指数：1
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供职机构：厦门大学更多>>
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GaAsP混晶中Te施主深能级的研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1991年第1期1-5,共5页张文清 黄启圣 康俊勇 
国家自然科学基金
用深能级瞬态谱(DLTS)方法研究了组分范围为x=0.11-0.95的掺Te的GaAs_(1-x)P_(?)混晶中的深能级.结果表明:样品中出现的深能级可分为A,B,C三类,其发射率激活能各约为:E_(?)~A=0.18ev,E_(?)~B=0.28eV,E_(?)~C=0.38eV.其中只有A能级在x=0....
关键词：混晶 半导体 深能级 DX中心 能带 
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