云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 李齐

李齐: 作品数：29被引量：17H指数：2; 导出分析报告; 供职机构：南京大学更多>>; 发文主题：HREM微结构铁电薄膜层错超导体更多>>; 发文领域：一般工业技术理学电子电信电气工程更多>>; 发文期刊：《物理学进展》《南京大学学报（自然科学版）》《物理学报》《人工晶体学报》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金德国大众基金更多>>

热氧化法制备SnO_2纳米晶的HREM研究: 《电子显微学报》2002年第5期617-618,共2页陈悦朱健民陈志强朱俊杰马国斌朱信华李齐; 关键词：热氧化法制备 SNO2 纳米晶 HREM 二氧化锡半导体材料高分辨电子显微镜

Zn_xFe_(3-x)O_4-α-Fe_2O_3纳米多晶材料中的隧道磁电阻效应与微结构(英文)被引量：1: 《电子显微学报》2002年第3期279-282,共4页朱健民朱信华杨科刘治国都有为邢定钰李齐冯端; NationalnaturalsciencefoundationofChina;openingprojectofNationalLaboratoryofSolidStateMicrostructures;andgrantsforStateKeyProgramsforBasicResearchofChina; 在具有纳米绝缘层的多晶锌铁氧体体系中 ,当晶界为α Fe2 O3纳米量级的绝缘层时 ,则构成 (ZnxFe3 xO4) α Fe2 O3非均匀体 ,电子显微分析证实了这种微结构。该体系在 0 5T磁场、4 2K温度下 ,磁电阻效应可达 1 2 80 %,30 0K下为 1 58%; 关键词：ZnxFe3-xO4-α-Fe2O3 纳米多晶材料隧道磁电阻效应锌铁酸盐透射电子显微镜

SBT材料微结构的TEM研究(英文): 《电子显微学报》2002年第3期287-293,共7页朱信华朱健民周舜华李齐刘治国闵乃本; DigitalDNALaboratories ;SemiconductorProductionSector;MotorolaInc .;NationalNaturalScienceFoundationofChina ;openingprojectofNationalLaboratoryofSolidStateMicrostructures ;andagrantforStateKeyProgramforBasicResearchofChina; 本文利用透射电子显微术 (TEM)对SrBi2 Ta2 O9(SBT)材料 (单晶、陶瓷及薄膜 )的微结构进行了研究。在 (0 0 1 )取向的SBT单晶材料及多晶陶瓷中观察到 90°铁电畴结构。在SBT晶体中观察到大量的条带状四度反相畴界结构和少量的三度反相...; 关键词：SBT材料 SrBi2Ta2O9材料微结构 TEM 铁电薄膜透射电子显微术铁电畴结构钽酸盐

复合氧化物纳米粒子三维自组装的HREM研究: 《电子显微学报》2000年第4期423-424,共2页朱健民马国斌陈志强濮林朱信华周舜华李齐; 关键词：复合氧化物纳米粒子三维自组装 HREM

层状钙钛矿铁电薄膜的层错结构研究被引量：1: 《电子显微学报》2000年第4期465-466,共2页朱信华洪建明李爱东朱健民吴迪周舜华李齐刘治国闵乃本; 关键词：层状钙钛矿铁电薄膜层错结构

硅基多孔氧化铝薄膜的解理断裂特性: 《电子显微学报》2000年第4期471-472,共2页濮林朱健民吴俊辉邹建平周舜华鲍希茂李齐冯端; 国家自然科学基金资助项目 !(5 9832 10 0 );攀登计划资助项目; 关键词：硅基多孔氧化铝薄膜解理断裂特性

CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱(QDQW)的HREM研究: 《电子显微学报》2000年第4期401-402,共2页陈志强朱健民洪建明马国斌濮林朱信华周舜华李齐; 关键词：硒化镉硒化汞半导体量子点量子阱 HREM

α-PbO_2型TiO_2纳米晶微结构的HREM研究: 《电子显微学报》2000年第4期421-422,共2页马国斌陈志强洪建明朱健民周舜华李齐闵乃本; 国家博士后科学基金;国家自然科学基金资助项目; 关键词：α-PbO2型二氧化钛纳米晶微结构 HREM

CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱(QDQW)核壳微结构的HREM研究: 《人工晶体学报》2000年第S1期253-,共1页陈志强朱健民马国斌朱信华周舜华李齐冯端; 国家自然科学基金资助项目; 随着半导体材料尺寸减至纳米量级 ,材料的电子结构经历从体材料的连续能带到类分子的准分裂能级的变化 ,其光学、电学及结构性质也发生了异于体材料的变化。我们应用胶体化学合成方法 ,制备出具有核壳结构的CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱 ...; 关键词：CdSe/HgSe/CdSe 纳米晶量子点量子阱微结构

利用波纹图样对GaN/α-Al_2O_3(0001)界面微结构研究: 《人工晶体学报》2000年第S1期254-,共1页朱健民陈志忠马国斌朱信华周舜华李齐冯端; 国家自然科学基金资助项目; 以GaN为代表的Ⅲ V族氮化物是制备蓝、绿光发光二极管、激光二极管及高温大功率器件的优选材料。然而 ,现有的衬底材料与GaN外延层之间存在的较大的晶格失配和热失配 ,因而造成外延层极高的位错密度 ( 1 0 8～ 1 0 10 cm-2 )。人们对G...; 关键词：GaN/α-Al_2O_3 衬底材料界面结构

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