陆秀洪

作品数：1被引量：8H指数：1
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供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
发文主题：IGBT低功耗LPL仿真晶体管更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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低功耗IGBT(LPL-IGBT)及其仿真被引量：8
《Journal of Semiconductors》2001年第12期1565-1571,共7页吴郁 陆秀洪 亢宝位 王哲 程序 高琰 
国家自然科学基金资助项目 (6983 60 10 )~~
提出了一种新结构的 IGBT,取名为低功耗 IGBT(L PL- IGBT) ,它具有离子注入形成的超薄且轻掺杂的背P型发射区 ,从而具有 NPT- IGBT的优点 ;同时具有由衬底预扩散残留层构成的 n型缓冲层 ,又具有 PT- IGBT的优点 .计算机仿真结果证明 ,...
关键词：仿真 IGBT 晶体管 
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