高琰

作品数：2被引量：10H指数：2
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供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
发文主题：IGBT仿真LPL晶体管低功耗更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《半导体技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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一种具有新耐压层结构的IGBT被引量：2
《半导体技术》2003年第7期64-68,共5页高琰 亢宝位 程序 
国家自然科学基金资助项目(69836010)
介绍了一种具有新型耐压层结构的IGBT——低功耗IGBT。新结构用三重扩散的方法在n- 单晶片上引入了n+ 缓冲层。保留了NPT-IGBT中薄而轻掺杂的背p+层和高载流子寿命的本质优点,同时又具有PT-IGBT中n-/n+ 双层复合的薄耐压层 (即薄基区) ...
关键词：IGBT 耐压层结构 关断损耗 仿真 制造工艺 
低功耗IGBT(LPL-IGBT)及其仿真被引量：8
《Journal of Semiconductors》2001年第12期1565-1571,共7页吴郁 陆秀洪 亢宝位 王哲 程序 高琰 
国家自然科学基金资助项目 (6983 60 10 )~~
提出了一种新结构的 IGBT,取名为低功耗 IGBT(L PL- IGBT) ,它具有离子注入形成的超薄且轻掺杂的背P型发射区 ,从而具有 NPT- IGBT的优点 ;同时具有由衬底预扩散残留层构成的 n型缓冲层 ,又具有 PT- IGBT的优点 .计算机仿真结果证明 ,...
关键词：仿真 IGBT 晶体管 
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