徐大余

作品数：5被引量：45H指数：3
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供职机构：中南大学更多>>
发文主题：纳米SIO光致发光多孔硅高比表面积硅酸钠溶液更多>>
发文领域：一般工业技术电子电信化学工程金属学及工艺更多>>
发文期刊：《粉末冶金材料科学与工程》《硅酸盐学报》《材料工程》《现代化工》更多>>
所获基金：国际科技合作与交流专项项目国家大学生创新性实验计划国家自然科学基金更多>>
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P型单晶硅片在KOH溶液中腐蚀行为的电化学研究被引量：3
《材料工程》2008年第10期126-131,共6页宋晓岚 张晓伟 徐大余 喻振兴 邱冠周 
科技部国际科技合作项目资助(2005DFBA028);教育部大学生创新性实验计划项目资助(LA07023)
采用电化学极化测量技术研究了p（100）和p（111）硅片在碱性KOH溶液中的腐蚀行为，考察了KOH溶液浓度、温度和硅片表面缝隙等因素对腐蚀行为的影响。结果表明：在室温下当KOH浓度为5～6mol／L时硅片腐蚀速率最大；随着KOH腐蚀液温度增...
关键词：P型单晶硅片 腐蚀行为 极化曲线 缝隙腐蚀 
纳米SiO_2浆料中半导体硅片的化学机械抛光速率及抛光机理被引量：28
《硅酸盐学报》2008年第8期1187-1194,共8页宋晓岚 刘宏燕 杨海平 张晓伟 徐大余 邱冠周 
科技部国际科技合作(2005DFBA028);中南大学大学生创新教育(LB06103)资助项目
采用电化学方法,研究了SiO2浆料pH值、H2O2浓度、固体含量以及抛光转速、压力和时间等不同抛光工艺参数对n型半导体单晶硅片(100)和(111)晶面化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)去除速率的影响和作用机理。结果表明:抛光...
关键词：化学机械抛光 电化学方法 单晶硅片 纳米二氧化硅浆料 抛光速率 
多孔硅发光材料研究进展被引量：1
《现代化工》2008年第2期29-33,35,共6页宋晓岚 徐大余 张晓伟 屈一新 喻振新 邱冠周 
科技部国际科技合作资助项目(2005DFBA028);教育部大学生创新性实验计划资助项目(LA07023)
综述了多孔硅的制备方法、形成机理和多孔硅的光致发光机制,以及为改善多孔硅的发光特性而采取的一些措施,最后概述了多孔硅发光材料的应用。
关键词：多孔硅 光致发光 机理 复合 应用 
纳米SiO_2复合材料研究进展被引量：8
《粉末冶金材料科学与工程》2007年第5期272-276,共5页江楠 宋晓岚 徐大余 
科技部国际科技合作项目(2005DFBA008)
利用纳米SiO2粒子本身所具备的优良性质,通过物理或化学方法使其与不同材料如金属、半导体、无机或有机材料复合,可以制得各种具有特殊性能的纳米复合材料。该文概述了纳米SiO2的优异性能;综述了纳米SiO2/金属、纳米SiO2/无机和纳米SiO2...
关键词：SI02 复合材料 制备 研究 
沉淀法合成的纳米CeO_2前驱体的热分解动力学被引量：5
《中南大学学报（自然科学版）》2007年第3期428-432,共5页宋晓岚 何希 杨海平 徐大余 江楠 邱冠周 
科技部国际科技合作项目(2005DFBA028);国家自然科学基金资助项目(59925412)
以Ce(NO3)3.6H2O为铈源,(NH4)2 CO3.H2O为沉淀剂,加入少量PEG4000作为分散剂,采用化学沉淀法并经水洗、超声波醇洗,70℃干燥后得到CeO2的前驱体Ce2(CO3)3.H2 O。对Ce2(CO3)3.H2 O样品运用差示/热重分析(DSC/TG)和X射线衍射(XRD)方法进...
关键词：纳米CEO2 热分解动力学 化学沉淀法 
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