徐建国

作品数：1被引量：1H指数：1
导出分析报告
供职机构：复旦大学物理学系更多>>
发文主题：超晶格光谱表征喇曼光谱喇曼锗硅更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
用喇曼光谱表征锗硅应变层超晶格被引量：1
《Journal of Semiconductors》1990年第11期822-828,共7页徐建国 王建宝 盛篪 孙恒慧 郑思定 姚文华 
对Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格的喇曼光谱研究表明,这类样品中各层间的应力分配取决于缓冲层组分。合金层中的Ge—Si峰峰移δω随组分x或应变ε作线性变化。对Ge_n/Si_n(n为原子层数)超晶格的喇曼光谱研究表明,在n=4的超薄层超晶格中,锗硅界...
关键词：喇曼光谱 锗硅 应变层 超晶格 表征 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部