柯逸辰

作品数：4被引量：4H指数：1
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供职机构：江南大学更多>>
发文主题：静电放电传输线脉冲测试系统RF_CMOS双向可控硅更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微电子学》《固体电子学研究与进展》更多>>
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宽带低噪声放大器与ESD防护的协同设计被引量：1
《微电子学》2013年第3期345-349,共5页柯逸辰 顾晓峰 朱科翰 高国平 
国家自然科学基金资助项目(11074280);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUDCF12027;JUDCF12032);江苏高校优势学科建设工程资助项目(PAPD)
基于0.18μm CMOS工艺,介绍了一种UHF频段低噪声放大器(LNA)与静电放电(ESD)保护器件的协同设计和电路仿真方法。采用传输线脉冲测试系统,测得ESD二极管的正向热失效击穿电流为4.28A,等效于人体模型5.6kV;反向热失效击穿电流为0.2A,等...
关键词：低噪声放大器 静电放电 二极管 传输线脉冲测试 人体模型 
0.18μm RF CMOS双向可控硅ESD防护器件的研究(英文)被引量：2
《固体电子学研究与进展》2013年第3期284-288,299,共6页柯逸辰 梁海莲 顾晓峰 朱兆旻 董树荣 
国家自然科学基金资助项目(11074280);江苏省自然科学基金资助项目(BK2012110);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUSRP51323B);专用集成电路与系统国家重点实验室开放研究课题基金资助项目(11KF003);江苏高校优势学科建设工程资助项目和江苏省六大人才高峰资助项目(DZXX-053)
基于传统双向可控硅(DDSCR)提出了两种静电放电(ESD)保护器件,可应对正、负ESD应力从而在2个方向上对电路进行保护。传统的DDSCR通过N-well与P-well之间的雪崩击穿来触发,而提出的新器件则通过嵌入的NMOS/PMOS来改变触发机制、降低触发...
关键词：静电放电 双向可控硅 传输线脉冲测试系统 人体模型 
基于BJT的ESD保护器件中维持电压的建模与分析被引量：1
《固体电子学研究与进展》2012年第5期446-450,共5页梁海莲 杨兵 顾晓峰 柯逸辰 高国平 
国家自然科学基金资助项目(11074280);江苏高校优势学科建设工程资助项目;中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUSRP20914;JUDCF10031)
基于双极晶体管（BJT）结构的静电放电（ESD）保护器件具有双向导通特性和良好的保护性能,在ESD保护中应用广泛。鉴于该类器件在负阻效应下维持电压的产生机理和建模方面的研究较少,提出了一种维持电压的数学建模方法。首先分析了多种...
关键词：静电放电 双极晶体管 负阻效应 调制效应 维持电压 仿真 建模 
纵向NPN管ESD保护结构的设计与分析
《微电子学》2012年第4期572-575,共4页柯逸辰 高国平 顾晓峰 
国家自然科学基金资助项目(11074280);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUSRP20914;JUDCF10031)
针对一种5V0.6μm BiCMOS工艺的纵向NPN管,设计了ESD保护结构。为了克服传统纵向NPN管ESD自触发结构触发电压较高的缺陷,提出一种带P+/N阱二极管的改进型自触发ESD结构,利用NPN管集电极与基极之间的寄生电容和二极管作为电容耦合元件。...
关键词：BICMOS 自触发保护结构 人体模型 
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