沈君

作品数：3被引量：7H指数：2
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供职机构：天津大学理学院物理系更多>>
发文主题：负电容半导体二极管GAN界面层串联电阻更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《发光学报》《Journal of Semiconductors》《河北师范大学学报（自然科学版）》更多>>
所获基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金河北省教育厅博士基金更多>>
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一种精确检测半导体二极管正向电特性的新方法被引量：3
《Journal of Semiconductors》2003年第12期1307-1311,共5页王存达 曾志斌 张国义 沈君 朱传云 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6978960 1;698760 0 2 )~~
提出了一种基于串联模式精确地检测半导体二极管正向电特性的新方法 .利用该方法 ,不仅可以得到二极管在不同电压下的串联电阻、结电容、结电压、理想化因子等值 ,还能判断一个实际的二极管有无界面层存在并得到其界面层阻抗值 .用此方...
关键词：半导体二极管 正向电特性 串联模式 界面层 负电容 精确检测 
利用正向电压下的导纳检测半导体二极管的新方法被引量：1
《河北师范大学学报（自然科学版）》2003年第3期251-255,289,共6页李乐 朱传云 沈君 王存达 
河北省自然科学基金(200153);河北省教育厅博士基金
提出了一种利用正向电压下的导纳-电压(A-V)特性检测半导体二极管的非破坏性新方法,并给出了它的一般分析.利用这种方法,可以判断一个二极管有无界面层存在,并测量在不同正向电压下串联电阻、结电容、结电压、理想化因子和界面层阻抗的...
关键词：半导体二极管 导纳 正向电压 非破坏性检测 A-V方法 串联电阻 结电容 结电压 
GaN发光二极管的负电容现象被引量：4
《发光学报》2000年第4期338-341,共4页沈君 王存达 杨志坚 秦志新 童玉珍 张国义 李月霞 李国华 
北京大学人工微结构与介观物理国家重点实验室资助;中科院半导体超晶格国家重点实验室的支持;国家自然科学基金资助(69789601,69876002)
采用串联等效电路分析了较大正向电压下半导体二极管的交流电学特性 ,由此可以同时测量结电容和串联电阻 ,并能判断二极管是否有界面层。首次发现了在较低的测试频率和较大的正向电压下 ,GaN二极管的结电容具有负值 ,并且测试频率越低 ...
关键词：GAN 发光二极管 负电容 
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