谢成城

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InGaN多量子阱面发射微盘激光器的理论研究
《半导体光电》2000年第3期188-192,共5页谢成城 王舒民 
为了实现半导体微盘激光器的单模面发射 ,设计了一种以InGaN多量子阱为有源层 ,GaN外延层为覆盖层的半导体微盘激光器。通过对GaN覆盖层进行图形刻蚀 ,可以对不同的角模式进行有选择的增益 ,由此实现选模。用有效增益因子加电介质盘的...
关键词：微盘激光器 面发射 多量子阱 INGAN 
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