云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 雷帅

雷帅: 作品数：1被引量：0H指数：0; 导出分析报告; 供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>; 发文主题：管栅阈值电压应变SIPOLY-SIX更多>>; 发文领域：电子电信更多>>; 发文期刊：《物理学报》更多>>; 所获基金：中央高校基本科研业务费专项资金陕西省自然科学基金更多>>

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Poly-Si_(1-x)Ge_x栅应变SiN型金属-氧化物-半导体场效应管栅耗尽模型研究: 《物理学报》2012年第10期376-383,共8页胡辉勇雷帅张鹤鸣宋建军宣荣喜舒斌王斌; 中央高校基本科研业务费(批准号:72105499,72104089);陕西省自然科学基础研究计划资助项目(批准号:2010JQ8008);预研基金(批准号:9140C090303110C0904)资助的课题~~; 基于对Poly-Si_(1-x)Ge_x栅功函数的分析,通过求解Poisson方程,获得了Poly-Si_(1-x)Ge_x栅应变SiN型金属-氧化物-半导体场效应器件(NMOSFET)垂直电势与电场分布模型.在此基础上,建立了考虑栅耗尽的Poly-Si_(1-x)Ge_x栅应变Si NMOSFET的...; 关键词：Poly-Si_1-xGe_x 应变SI 栅耗尽阈值电压