高榆岚

作品数：5被引量：12H指数：2
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供职机构：中国矿业大学更多>>
发文主题：热电性能纳米氧化亚铜共掺杂宽带隙氧化亚铜更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术理学环境科学与工程更多>>
发文期刊：《材料导报（纳米与新材料专辑）》《兵器材料科学与工程》《环境化学》《稀有金属材料与工程》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中国矿业大学青年科技基金浙江省自然科学基金宁波市自然科学基金更多>>
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宽带隙n-型半导体CuIn_5Se_8的热电性能研究
《稀有金属材料与工程》2013年第7期1474-1477,共4页周红 应鹏展 崔教林 王晶 高榆岚 李亚鹏 李奕沄 
国家自然科学基金(51171084;50871056);浙江省自然科学基金(Y4100182);宁波市自然科学基金(2011A610093)
利用放电等离子烧结技术制备了宽带隙三元半导体化合物CuIn5Se8,并对其热电性能进行了研究。物相分析表明,化合物为单相CuIn5Se8,带隙宽度为1.13eV,比In2Se3合金的低。电学性能测试结果表明,随温度升高Seebeck系数绝对值从370.0μV·K1...
关键词：CuIn5Se8 宽带隙半导体 热电性能 
共掺杂Cu,Te后禁带宽度变窄对In_2Se_3基半导体热电性能的影响被引量：1
《稀有金属材料与工程》2012年第12期2118-2122,共5页崔教林 张晓军 李奕沄 高榆岚 
国家自然科学基金(50871056);国家"863"高科技计划项目(2009AA03Z322);浙江省自然科学基金(Y4100182);宁波市自然科学基金(2011A610093)
α-In2Se3是一类A2ⅢB3Ⅳ型宽带隙半导体材料。但在α-In2Se3化合物中共掺杂适量的Cu,Te后发现禁带宽度(Eg)变窄,Eg值由本征态时的1.32eV减小到1.14eV。掺杂后电学性能得到了大幅度的改善。最大功率因子由0.7610-4增大到2.810-4W·m-1·...
关键词：α-In2Se3基半导体 禁带宽度(Eg) 热电性能 
纳米氧化亚铜制备方法的研究进展被引量：6
《材料导报（纳米与新材料专辑）》2011年第1期76-80,共5页陈善亮 朱耿臣 应鹏展 顾修全 倪自丰 高榆岚 
中国矿业大学青年基金资助项目(091273)
氧化亚铜是一种新型无机材料,具有优异的光电性能,在可见光催化降解等领域有广泛的应用。结合最新研究进展论述了采用不同方法合成各种形貌的纳米Cu_2O及其合成机理,并讨论了目前合成方法存在的问题和以后的发展方向。
关键词：纳米氧化亚铜 制备方法 研究进展 
纳米氧化亚铜电化学法制备及光催化研究进展被引量：5
《环境化学》2011年第5期976-982,共7页陈善亮 朱耿臣 应鹏展 顾修全 高榆岚 
中国矿业大学青年基金资助项目(ON091273)
综述了采用电化学法制备纳米氧化亚铜的工艺条件、影响因素、形成机理及纳米氧化亚铜在光催化降解工业废水中有机污染物方面的最新研究进展,并指出电化学制备工艺和催化降解研究存在的不足及以后的研究方向与趋势.
关键词：氧化亚铜 电化学法 光催化 偶氮染料 有机污染物 废水 
掺杂Cu的AgSbTe四元合金电学性能
《兵器材料科学与工程》2011年第2期4-7,共4页付红 应鹏展 颜艳明 张晓军 高榆岚 
国家自然科学基金资助(50871056)
AgSbTe基合金具有良好的热学和电学性能,在发电和制冷领域获得广泛应用。通过放电等离子烧结技术制备（AgSbTe2）0.405（Sb2-xCuxTe3）0.064（x=0,0.025,0.05,0.1,0.2）5种合金,观察其微观结构,并研究316~548 K温度区间内电学性能的变...
关键词：AgSbTe合金 掺杂Cu 微观结构 电学性能 
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