吴传良

作品数：2被引量：3H指数：1
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供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
发文主题：VLSI薄层半导体器件热载流子深亚微米更多>>
发文领域：电子电信更多>>
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深亚微米薄层SOI/MOSFET’s热载流子效应分析被引量：3
《Journal of Semiconductors》1998年第4期280-286,共7页曹建民 吴传良 沈文正 黄敞 
本文从二维模拟热载流子注入电流入手，讨论了不同硅层厚度、栅氧厚度和掺杂浓度对薄层深亚微米ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ’ｓ热载流子效应的影响．模拟结果表明，对于不同的硅层厚度，沟道前表面漏结处的载流子浓度对热载流子效应起着不同...
关键词：SOI/MOSFET VLSI 半导体器件 热载子效应 
薄层SOI/MOSFET’s热载流子电流的数值模拟
《Journal of Semiconductors》1998年第3期206-213,共8页曹建民 吴传良 张文俊 范辉 沈文正 黄敞 
本文应用“幸运电子”概念，取代平均电场热载流子模型［１］，利用二维数值计算的方法，建立起一组热载流子向栅氧化层注入的注入电流和栅电流模型（包括热电子和热空穴）．通过分别对ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ和相应的体硅器件模拟计算得...
关键词：SOI器件 半导体器件 MOSFET 热载流子电流 VLSI 
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