王海玲

作品数：2被引量：9H指数：1
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供职机构：北京工业大学更多>>
发文主题：GAN基发光二极管发光二极管电压降LEDICP刻蚀更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《半导体光电》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市人才强教计划项目北京市科技新星计划更多>>
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ICP刻蚀GaP研究及对LED性能的影响被引量：1
《固体电子学研究与进展》2008年第1期154-157,共4页王海玲 郭霞 周跃平 沈光地 
国家自然科学基金(No.60506012);北京市教育委员会科技发展计划重点项目(KZ200510005003);北京市人才强教计划项目(05002015200504);国家973计划(2006CB604902);北京市科技新星计划(2005A11)
深入研究了GaP材料在高密度感应耦合等离子体刻蚀系统中刻蚀选择比和刻蚀速率随刻蚀系统的源功率、射频功率、腔室压强的变化规律,即通过改变其中一个参数而保持其它参数不变来得出变化规律;同时将刻蚀GaP材料应用到红光LED制作,即电流...
关键词：磷化镓 感应耦合等离子体 刻蚀 
GaN基发光二极管寿命测试及失效分析被引量：8
《半导体光电》2007年第3期345-348,360,共5页周跃平 郭霞 王海玲 高国 沈光地 
国家自然科学基金资助项目(60506012);北京市教育委员会基金项目(KZ200510005003);北京市人才强教计划项目(05002015200504);国家"973"计划资助项目(2006CB604902)
将来自相同外延片和相同制作工艺的30只GaN基绿色发光二极管管芯分成3组,分别加30、40和60 mA电流进行不同时间的老化试验。在老化之前和老化期间测量了器件的光输出功率和I-V特性。将测得的光输出功率数据对时间进行指数函数拟合,得到...
关键词：发光二极管 电压降 退化 寿命测试 失效 
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