黄青松

作品数：1被引量：14H指数：1
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供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文主题：SIC划痕碳化硅单晶碳化硅石墨烯更多>>
发文领域：理学一般工业技术电子电信交通运输工程更多>>
发文期刊：《人工晶体学报》更多>>
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宽禁带半导体碳化硅单晶生长和物性研究进展被引量：14
《人工晶体学报》2012年第S1期234-241,共8页彭同华 刘春俊 王波 王锡铭 郭钰 赵宁 李龙远 刘宇 黄青松 贾玉萍 王刚 郭丽伟 陈小龙 
本文介绍了最近几年在SiC单晶生长和晶片加工技术产业化进程中的系列进展。研究出SiC单晶生长的扩径技术,4英寸SiC晶体单晶直径达105 mm。晶体质量逐步提高,至2011年,大部分晶片微管密度小于1个/cm2,反映晶体结晶质量的X射线摇摆曲线半...
关键词：SIC晶体 单晶生长 晶片加工 磁性 石墨烯 
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