施超

作品数：1被引量：7H指数：1
导出分析报告
供职机构：西安电子科技大学微电子学院微电子研究所更多>>
发文主题：MOSFET静电无损检测逾渗更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《西安电子科技大学学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
1/f噪声检测MOSFET静电潜在损伤的理论基础被引量：7
《西安电子科技大学学报》2002年第5期575-579,共5页马仲发 庄奕琪 杜磊 薛丽君 万长兴 施超 
国家自然科学基金资助项目 (696710 0 3 )
分析了MOSFET静电损伤的机理 ,发现在静电应力期间 ,随着应力次数的增加 ,在SiO2 体内和Si/SiO2 界面同时产生潜在损伤积累 .Si/SiO2 界面较SiO2 层体内更容易产生缺陷 ,而且缺陷浓度更大 .用逾渗理论模拟了MOSFET中 1/f噪声与边界陷阱...
关键词：MOSFET 静电 潜在损伤 无损检测 1/f噪声 逾渗 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部