薛丽君

作品数：7被引量：23H指数：3
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供职机构：西安电子科技大学技术物理学院更多>>
发文主题：电迁移VLSI金属互连F噪声更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微电子学》《功能材料》《西安电子科技大学学报》《西安交通大学学报》更多>>
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VLSI金属互连电迁移1／f^γ噪声特性研究被引量：1
《西安电子科技大学学报》2003年第1期70-74,共5页薛丽君 杜磊 庄奕琪 徐卓 
西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室访问学者基金资助项目
通过对超大规模集成电路金属互连进行电迁移加速寿命实验和不同电迁移损伤程度的金属薄膜电阻及1/fγ噪声的测量和分析,得到了1/fγ噪声3Hz点功率谱密度和频率指数γ均随电迁移损伤程度加剧而变大的实验规律.分析表明,在同样的电迁移损...
关键词：VLSI 超大规模集成电路 金属互连 电迁移 1/f噪声 
VLSI金属互连线1／f^γ噪声指数与电迁移失效被引量：1
《电子学报》2003年第2期183-185,共3页杜磊 庄奕琪 薛丽君 
西安交通大学教育部重点实验室访问学者基金;教育部"高校骨干教师资助计划"资助
对VLSI的金属互连线实施高应力下的加速寿命试验和常规应力下的噪声频谱测量 ,得到了金属薄膜1/fγ噪声的频率指数γ在电迁移演化过程中的变化规律 ,发现γ指数在寿命试验的某个时间点发生突变 ,从 1 0上升到 1 6以上 .这种突变可以归...
关键词：1/fγ噪声 电迁移 金属互连 VLSI 
VLSI金属互连电迁移可靠性评估技术研究
《微电子学》2002年第6期412-415,共4页薛丽君 杜磊 庄奕琪 鲍立 李伟华 马中发 
　在简要介绍电迁移失效机理的基础上,对各种电迁移可靠性实验评估方法的特点进行了分析对比,重点研究了VLSI金属互连电迁移可靠性的噪声评估技术。通过实验数据和结果的对比分析,证明噪声方法不仅可行,而且有着其他传统方法不可比拟的...
关键词：VLSI 金属互连 电迁移 可靠性评佶 噪声测试 
1/f噪声检测MOSFET静电潜在损伤的理论基础被引量：7
《西安电子科技大学学报》2002年第5期575-579,共5页马仲发 庄奕琪 杜磊 薛丽君 万长兴 施超 
国家自然科学基金资助项目 (696710 0 3 )
分析了MOSFET静电损伤的机理 ,发现在静电应力期间 ,随着应力次数的增加 ,在SiO2 体内和Si/SiO2 界面同时产生潜在损伤积累 .Si/SiO2 界面较SiO2 层体内更容易产生缺陷 ,而且缺陷浓度更大 .用逾渗理论模拟了MOSFET中 1/f噪声与边界陷阱...
关键词：MOSFET 静电 潜在损伤 无损检测 1/f噪声 逾渗 
超大规模集成电路金属互连线的电迁移过程指示参量研究被引量：1
《西安交通大学学报》2002年第10期1062-1065,共4页杜磊 薛丽君 庄奕琪 徐卓 
教育部重点实验室访问学者基金资助项目
通过实验研究分阶段全面描述金属互连电迁移过程的参量集合 ,发现了电阻和金属薄膜电阻的低频涨落在金属互连电迁移演化过程中的变化规律 .实验结果表明 ,将电阻与金属薄膜电阻的低频涨落点功率谱幅值及频率指数 3个指示参数相结合 ,可...
关键词：超大规模集成电路 金属互连线 指示参量 噪声点功率谱幅值 电迁移 低频涨落 频率指数 
金属薄膜电迁移1/f噪声与1/f^2噪声统一模型被引量：10
《物理学报》2002年第12期2836-2841,共6页杜磊 庄奕琪 薛丽君 
应用晶粒边界自由体积的概念建立了能够统一描述金属薄膜 1 f噪声与 1 f2 噪声的模型 .该模型表明 ,结构完整的多晶金属薄膜产生的电噪声为 1 f噪声 ,当金属薄膜受到电迁移损伤而形成空洞时就会引入 1 f2 噪声的成分 .在电迁移应力实验...
关键词：统一模型 金属薄膜 1/^γ噪声 电迁移 自由体积 空调成核 超大集成电路 
气敏材料An-WO_3催化特性的物理解释被引量：3
《功能材料》2001年第3期287-289,共3页王旭升 薛丽君 周晓华 三浦则雄 山添升 
对Ａｕ－ＷＯ３粉体材料的制备及氨敏特性进行了研究，得到材料的电阻和对氨的灵敏度随 Ａｕ含量的增加先增大，达到某一极值后减小的实验结果，本文还用透射电子显微镜（ＴＥＭ）观察了Ａｕ颗粒在ＷＯ３表面的分布情况，发现Ａｕ颗粒...
关键词：半导体气体传感器 气敏机理 催化剂 气敏材料 
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