李世伟

作品数：3被引量：8H指数：1
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供职机构：北京工业大学更多>>
发文主题：结温开关切换图示仪HEMT器件红外法更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《物理学报》《半导体技术》更多>>
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小尺寸栅极HEMT器件结温测量被引量：1
《半导体技术》2017年第11期833-837,843,共6页高立 廖之恒 李世伟 郭春生 
核心电子器件评价和检测技术资助项目(2012ZX01022002)
用现有的红外法测量的GaN基HEMT器件结温,比实际最高温度点的温度低。而用喇曼法测量结温对设备要求高且不易于操作。针对现有技术对GaN基HEMT器件结温的测量存在一定困难的问题,设计了一款HEMT器件匹配电路。利用红外热像仪测量HEMT器...
关键词：GaN基HEMT器件 结温 红外法 防自激电路 Sentaurus TCAD软件模拟 
AlGaN/GaN HEMT在不同温度下的退化规律及退化机理
《半导体技术》2016年第8期636-639,共4页郭春生 任云翔 高立 冯士维 李世伟 
基于温度步进应力实验,研究了AlGaN/GaN HEMT器件在不同温度应力下的退化规律及退化机理。实验发现：在结温为139~200℃时,AlGaN/GaN HEMT器件的漏源电流随退化时间逐渐减小;而在结温为200~352℃时,漏源电流随退化时间逐渐增大。分析表...
关键词：ALGAN/GAN HEMT 温度步进应力 结温 肖特基势垒高度 阈值电压 
加载功率与壳温对AlGaN/GaN高速电子迁移率晶体管器件热阻的影响被引量：7
《物理学报》2016年第7期265-270,共6页郭春生 李世伟 任云翔 高立 冯士维 朱慧 
国家自然科学基金(批准号:61204081);北京市教委基金(批准号:KM201510005008)资助的课题~~
结温是制约器件性能和可靠性的关键因素,通常利用热阻计算器件的工作结温.然而,器件的热阻并不是固定值,它随器件的施加功率、温度环境等工作条件的改变而变化.针对该问题,本文以CREE公司生产的高速电子迁移率晶体管(HEMT)器件为研究对...
关键词：AlGaN/GaN高速电子迁移率晶体管 热阻 红外热像测温法 Sentaurus TCAD模拟 
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