谢凡

作品数：3被引量：7H指数：1
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供职机构：北京师范大学更多>>
发文主题：X射线探测器保护环暗电流密度X光漏电流更多>>
发文领域：电子电信理学核科学技术机械工程更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《北京师范大学学报（自然科学版）》更多>>
所获基金：国家自然科学基金北京市科技新星计划教育部“优秀青年教师资助计划”国家教育部博士点基金更多>>
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带保护环结构的条形X光阵列探测器被引量：7
《Journal of Semiconductors》2003年第2期198-202,共5页盛丽艳 韩德俊 张秀荣 田晓娜 王传敏 杜树成 谢凡 王光甫 
国家自然科学基金 (批准号 :699760 0 6) ;北京市科技新星计划 (合同号 :95 2 870 3 0 0 );教育部优秀青年教师基金资助项目~~
研究了带有保护环结构的条形 X光阵列探测器 ,结果表明 ,保护环的存在不仅降低了表面漏电 ,而且抑制了耗尽区的侧向扩展 .厚度为 30 0 μm的探测器样品 ,切割后的“死区”长度为 15 0 μm;环境温度为 18℃时 ,70 V偏压下加保护环测得的...
关键词：X光探测器 死区 漏电流 保护环 端面入射 
离子注入减小条形射线探测器表面漏电的研究
《北京师范大学学报（自然科学版）》2001年第6期761-766,共6页谢凡 杜树成 韩德俊 
国家自然科学基金资助项目 (6 9976 0 0 6 )
选择高阻N型〈10 0〉单晶硅材料 ,X射线探测器为PIN管结构 .为了减少器件表面缺陷对暗电流的影响 ,在器件P区的两侧使用离子注入形成浅层低浓度N区 ,以减小器件的暗电流 .通过对比实验发现 ,当N区的注量增大时 ,在相同反向偏压条件下 ,...
关键词：X射线探测器 PIN管结构 暗电流密度 N型保护区 离子注入 表面漏电 单晶硅材料 
二维BLOCH电子准经典霍耳输运的分支解及其分析
《北京师范大学学报（自然科学版）》1998年第2期202-205,共4页田强 谢凡 马本堃 
国家教委博士点基金
在非极低温情况下，数值求解二维Bloch电子准动量在电场和磁场作用下满足的非线性方程组，结果呈现出奇特的非线性现象．在电场一定的情况下，随着磁场的增加，方程组不断以切分岔的形式出现新的分支解，并对这些分支解的稳定性进行了...
关键词：Bloch电子 非线性输运 分支解 霍耳输运 
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