邱凯

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供职机构：中国科学院合肥物质科学研究院材料物理重点实验室更多>>
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Effects of in situ Annealing on Optical and Structural Properties of GaN Epilayers Grown by HVPE
《Journal of Semiconductors》2008年第3期410-413,共4页段铖宏 邱凯 李新化 钟飞 尹志军 韩奇峰 王玉琦 
Effects of in situ annealing on the structural and optical properties of Gallium nitride （GaN） layers grown on （0001） sapphire by hydride vapor phase epitaxy （HVPE） are studied. The properties of GaN epilayers a...
关键词：GAN in situ annealing HVPE 
利用混合极性制备多孔缓冲层及其在GaN厚膜外延中的应用
《Journal of Semiconductors》2007年第6期909-912,共4页尹志军 钟飞 邱凯 李新化 王玉琦 
国家自然科学基金资助项目(批准号:10574130)~~
使用分子束外延(MBE)技术在(0001)面蓝宝石衬底上生长混合极性的氮化镓(GaN)薄膜,利用不同极性面的GaN薄膜在强碱溶液中腐蚀特性的差异,混和极性样品经腐蚀处理后,得到了一层具有多孔结构的GaN层.以多孔结构的GaN作为缓冲层,用卤化物气...
关键词：GAN 极性 多孔 应力释放 
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