李凯凯

作品数：2被引量：7H指数：2
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供职机构：郑州大学更多>>
发文主题：INP基质子辐照HEMT器件HEMTS延时更多>>
发文领域：电子电信医药卫生自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《红外与毫米波学报》更多>>
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InP基HEMTs器件16参数小信号模型（英文）被引量：2
《红外与毫米波学报》2018年第2期163-167,共5页钟英辉 李凯凯 李梦珂 王文斌 孙树祥 李慧龙 丁鹏 金智 
Supported by National Natural Science Foundation of China(11775191,61404115,61434006);Development Fund for Outstanding Young Teachers in Zhengzhou University China(1521317004)
针对InAlAs/InGaAsInP基HEMTs提出了一种16参数小信号拓扑结构.拓扑结构中引入栅源电阻(R_(gs))表征短栅沟间距引起的栅泄漏电流效应.另外还引入输出跨导(gds)和漏延迟(τ_(ds))描述漏端电压对沟道电流的影响以及漏源电容(C_(ds))引起...
关键词：InP基高电子迁移率晶体管 小信号模型 栅泄漏电流 漏端延时 
基于InP基HEMTs的W波段高增益低噪声放大MMIC（英文）被引量：6
《红外与毫米波学报》2015年第6期668-672,共5页钟英辉 李凯凯 李新建 金智 
Supported by National Natural Science Foundation of China(61404115,61434006)
基于自主研发的InP基高电子迁移率晶体管工艺设计并制作了一款W波段单级低噪声放大单片毫米波集成电路.共源共栅拓扑结构和共面波导工艺保证了该低噪声放大器紧凑的面积和高的增益,其芯片面积为900μm×975μm,84~100 GHz频率范围内增...
关键词：高电子迁移率晶体管 低噪声放大电路 磷化铟 共源共栅 
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