张克宏

作品数：2被引量：5H指数：2
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供职机构：清华大学更多>>
发文主题：SI氮化硅晶须晶体缺陷生长温度更多>>
发文领域：理学更多>>
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α－Si_3N_4晶须中缺陷与晶须生长气氛关系的研究被引量：3
《复合材料学报》1996年第2期60-64,共5页吴华武 徐功骅 尉京志 来月英 张克宏 
国家自然科学基金
本文研究了用无定形氮化硅超细粉原位生长α－Ｓｉ３Ｎ４晶须，晶须生长温度为１４００～１４５０℃，恒温１～４ｈ。讨论了在晶须生长过程中，不同的保护气氛对晶须质量的影响。当晶须在高纯Ｎ２气氛中生长时，得到的晶须中氮含量为３...
关键词：晶须 氮化硅 生长气氛 晶体缺陷 
α－Si_3N_4晶须、晶柱与生长温度关系的研究被引量：2
《复合材料学报》1996年第1期55-59,共5页徐功骅 来月英 刘艳生 尉京志 吴华武 张克宏 
国家自然科学基金
本文采用无定形氮化硅超细粉制备α－Ｓｉ_３Ｎ_４晶须和晶柱，并对生长温度对晶须中的缺陷的影响进行了研究。结果表明：晶须生长时能否得到完整的晶体，与其生长温度有关，只有某一温度范围（１４３０℃±３０℃）生长时，才能得到比...
关键词：晶须 晶柱 氮化硅 生长温度 
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