王刚

作品数:3被引量:4H指数:1
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供职机构:河北普兴电子科技股份有限公司更多>>
发文主题:硅外延半导体材料硅外延片CVD单片更多>>
发文领域:电子电信一般工业技术水利工程建筑科学更多>>
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重掺As衬底上超高阻薄层硅外延片的制备被引量:3
《半导体技术》2020年第3期200-205,共6页薛宏伟 米姣 袁肇耿 王刚 张志勤 
超高阻薄层硅外延片可用于制备光电探测器的二极管、瞬态电压抑制二极管等分立器件。利用E200型单片外延炉在直径为150 mm的重掺As硅单晶衬底上制备了参数可控且均匀性高的外延层。采用多次本征生长技术,在重掺As硅衬底边缘形成掺杂原...
关键词:硅外延片 超高阻 多次本征工艺 低温外延 无HCl抛光 电阻率不均匀性 
半导体材料在LED产业中的发展和应用被引量:1
《电子世界》2016年第9期199-199,共1页王刚 聂永烁 
基于半导体在LED产业中的发展和应用分析,主要分为四个方面进行阐述,半导体材料Si C、半导体材料Ga N、半导体材料Zn O、单元素晶体金刚石。通过这种材料的说明,更好的体现LED产业中,半导体材料的价值,从而提升发光效率。
关键词:半导体材料 LED 材料应用 
脉冲强激光辐照半导体材料损伤效应的解析研究
《电子世界》2016年第9期189-189,192,共2页聂永烁 王刚 
本文应用一维热传导、载流子耦合扩散等方程,对半导体材料在受到脉冲强激光辐照时的热输运及自由载流子输运等过程展开研究,并分析了激光对半导体材料热学、力学、光电探测器击穿等损伤的机制,以期为半导体材料的抗辐射加固技术提供科...
关键词:半导体材料 脉冲强激光 损伤效应 
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