朱占平

作品数：2被引量：4H指数：1
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供职机构：西北核技术研究所更多>>
发文主题：高功率微波集成电路击穿半导体器件脉冲宽度更多>>
发文领域：电子电信核科学技术更多>>
发文期刊：《物理学报》《现代应用物理》更多>>
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集成电路HPM损伤机理分析被引量：3
《现代应用物理》2023年第2期124-130,共7页章勇华 黄文华 李平 杨志强 任伟涛 朱占平 
高功率微波技术重点实验室基金资助项目(HPM1607)。
针对几种常用的数字和模拟集成电路,开展了高功率微波注入实验研究,获得了损伤阈值,分析了损伤阈值随高功率微波脉冲宽度的变化规律;通过失效分析,确定了高功率微波在集成电路微米量级的端间间隙处形成瞬态强电场,引起端间沿面击穿,并...
关键词：高功率微波 损伤机理 沿面击穿 失效分析 击穿模型 脉冲宽度效应 
频率对半导体器件热击穿影响的理论模型被引量：1
《物理学报》2017年第1期334-339,共6页张存波 闫涛 杨志强 任伟涛 朱占平 
针对半导体器件中的热击穿,通过分析已有的理论模型,把频率对器件热区热产生和热传导的影响引入理论模型.利用格林函数求解热传输方程,同时对余误差函数进行近似处理,求解得到热区温度以及器件烧毁功率与频率和脉冲宽度的表达式.通过数...
关键词：热击穿 频率 脉冲宽度 理论分析 
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