李平

作品数：19被引量：74H指数：5
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集成电路HPM损伤机理分析被引量：3
《现代应用物理》2023年第2期124-130,共7页章勇华 黄文华 李平 杨志强 任伟涛 朱占平 
高功率微波技术重点实验室基金资助项目(HPM1607)。
针对几种常用的数字和模拟集成电路,开展了高功率微波注入实验研究,获得了损伤阈值,分析了损伤阈值随高功率微波脉冲宽度的变化规律;通过失效分析,确定了高功率微波在集成电路微米量级的端间间隙处形成瞬态强电场,引起端间沿面击穿,并...
关键词：高功率微波 损伤机理 沿面击穿 失效分析 击穿模型 脉冲宽度效应 
扫描模式下天线耦合效率及脉冲重频选择问题研究
《现代应用物理》2023年第1期139-144,共6页张存波 李平 杨志强 张荣威 刘埔瑶 甘德云 
国家自然科学基金资助项目(12175182)。
当接收天线工作于扫描模式时,不同脉冲重复频率的高功率微波进入接收天线主瓣的有效脉冲个数耦合效率差异较大。针对该问题,通过分析发射脉冲间隔角度的稳态形式,建立了接收天线分别工作于周扫和扇扫模式时计算有效脉冲个数耦合效率的...
关键词：高功率微波 耦合效率 脉冲重复频率 稳态形式 
跳频通信系统脉冲同步干扰仿真研究被引量：5
《强激光与粒子束》2018年第9期56-59,共4页张荣威 李平 章勇华 
跳频技术是目前通信领域应用非常广泛的一种通信方式。当跳速足够高、跳频带宽足够宽时,常规的干扰方法往往难以奏效。提出利用脉冲干扰信号对跳频信号的同步部分进行干扰的方法,并在MATLAB中建立典型跳频通信系统的信号级干扰仿真系统...
关键词：脉冲干扰 跳频 同步 仿真 
低仰角条件下短脉冲微波传播问题分析
《现代应用物理》2018年第3期40-44,共5页汪海波 李平 方文饶 张帅 
在低仰角条件下,对短脉冲微波传播中出现的遮挡、多径到达和天线波束分裂现象进行了分析,分别应用透波屏模型、Fresnel半径模型和两路径模型描述这三种现象,结合工程实践估算其产生的影响,并提出了应对措施。
关键词：低仰角 短脉冲微波 近地传播 
高电子迁移率晶体管放大器高功率微波损伤机理被引量：3
《强激光与粒子束》2016年第10期70-74,共5页闫涛 李平 
在TCAD半导体仿真环境中,建立了0.25μm栅长的AlGaAs/InGaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)低噪声放大器与微波脉冲作用的仿真模型,基于器件内部的电场强度、电流密度和温度分布的变化,研究了1GHz的微波从栅极和漏极注入的损伤机理。研究结...
关键词：高电子迁移率晶体管 低噪声放大器 高功率微波 不同端口 
PIN二极管热效应研究被引量：1
《微波学报》2014年第S1期220-222,共3页戚玉佳 李永东 郝勇 王洪广 李平 刘纯亮 
为了研究了PIN二极管电热学效应,通过T-CAD软件建立PIN二极管的电热学模型,模拟了PIN二极管的瞬态特性。研究了PIN二极管器件脉冲电压下的电热特性,分析了PIN二极管的载流子浓度与温度的关系,模拟得到了不同载流子浓度下与瞬态响应曲线...
关键词：PIN二极管 电热特性 脉冲电压 
GaAs PIN二极管电热特性
《强激光与粒子束》2014年第6期276-279,共4页戚玉佳 李永东 周家乐 王洪广 李平 刘纯亮 
国家自然科学基金项目(51277147);高功率微波技术重点实验室基金项目
通过T-CAD软件建立了PIN二极管的电学模型和热学模型,模拟了PIN二极管的稳态与瞬态特性。研究了PIN二极管器件在正反偏压和脉冲电压下的电学特性及热学特性,讨论了PIN二极管的I层厚度与温度的关系,模拟得到了不同I层厚度的稳态与瞬态响...
关键词：PIN二极管 电热特性 脉冲电压 
应用互耦迭代法计算二维随机海面微波散射被引量：1
《微波学报》2013年第2期71-74,78,共5页汪海波 黄文华 李平 梁铁柱 
海面对微波散射可用介质散射PMCHW方程描述,针对其离散后阻抗矩阵块的特点,引入电磁互耦迭代方法,结合多层快速多极子(MLFMA)求解,给出计算海面散射等效电流源和磁流源的算法。使用该方法求解分析得到不同起伏程度的海面对微波散射方向...
关键词：随机海面散射 矩量法 多层快速多极子算法 互耦迭代 
微波混频器高功率微波效应等效电路建立及仿真被引量：3
《强激光与粒子束》2011年第11期2845-2849,共5页涂敏 黄文华 李平 
国家高技术发展计划项目
利用先进设计系统软件设计并制作了单端混频器电路。开展了高功率微波注入效应实验,获得了一组损伤程度不同的混频器。通过测试二极管的伏-安特性曲线和分析失效机理,用拟合方法建立了损伤二极管的等效电路模型。基于此模型建立了损伤...
关键词：微波混频器 高功率微波效应 损伤二极管 等效电路模型 电路仿真 
基于“均匀设计”的HPM效应试验参数选取被引量：2
《战术导弹技术》2010年第4期23-26,56,共5页杨志强 李平 黄文华 
在电子系统高功率微波效应试验研究中,获取待测器件损伤效应阈值需要在多种参数条件下进行研究.损伤性试验是破坏性的,样本无法重复使用,昂贵的费用往往导致试验样本数很少,给试验参数的选取造成极大限制.采用了一种基于"均匀设计"的试...
关键词：均匀设计 效应试验 试验点 
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