陶华龙

作品数：10被引量：19H指数：3
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供职机构：大连交通大学更多>>
发文主题：电子结构第一性原理稀磁半导体第一性原理计算4H-SIC更多>>
发文领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>
发文期刊：《中国有色金属学报》《大连交通大学学报》《硅酸盐学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金河南省自然科学基金更多>>
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Ti掺杂LiZnAs的电子结构和磁学性能被引量：2
《大连交通大学学报》2022年第1期68-72,共5页王满富 何明 崔岩 陶华龙 张志华 
国家自然科学基金资助项目(51872034,52072058,51722205);辽宁省科学技术研究计划资助项目(2020JH2/10100012);辽宁省兴辽计划资助项目(XLYC1807173);国家民族事务委员会新能源与稀土资源利用重点实验室课题资助项目(NERE201905);大连市技术创新基金资助项目(2020JJ26GX043)。
通过采用第一性原理计算,研究Ti不同掺杂位置对LiZnAs电子结构和磁学性能的影响.在Ti原子附近,随机位置添加Li间隙原子,进而为掺杂体系引入电子载流子,研究电子载流子对掺杂体系磁稳定性的影响.结果表明:Li(ZnTi)As体系的磁性起源于p-d...
关键词：第一性原理计算 电子结构 磁学性能 LiZnAs 电子载流子 
第一性原理计算Al原子及空位掺杂6H-SiC的电子结构和磁性能（英文）被引量：2
《硅酸盐学报》2019年第4期519-525,共7页张明军 黄敬涛 林龙 余伟阳 徐永豪 陶华龙 祝令豪 王朋涛 张战营 
supported by the Key Projects of NSFC-Henan Joint Fund (U1704255);the National Natural Science Foundation of China (11804081);the National Natural Science Foundation of China (21303041);the National Natural Science Foundation of Cnana (51702089);the Natural Science Foundation of Henan Province (182102210305);the Natural Science Foundation of Henan Province (182300410288, 19B43000);the Innovation Scientists and Technicians Troop Construction Projects of Henan Province (CXTD2017089);Science and Technology of Henan Province (Lin’s), the Henan Postdoctoral Science Foundation (Lin’s);the Program for Innovative Research Team of Henan Polytechnic University (T2016-2);Natural Science Foundation of Liaoning;Doctor Start-up of Liaoning under Grant (20170520155);the Open Project of Key Laboratory of Radio Frequency and Micro-Nano Electronics of Jiangsu Province (LRME201601)~~
基于密度泛函理论的第一性原理,研究了6H-SiC的不同掺杂体系如碳空位(V_C)掺杂体系、硅空位(V_(Si))掺杂体系及(Al,V_(Si))共掺杂体系的电子结构和磁性。结果表明:单独的V_C或V_(Si)掺杂体系具有微弱的磁性,而(V_C,V_(Si))共掺杂体系呈...
关键词：稀磁半导体 电子结构 磁性 第一性原理 碳化硅 
Eu^(3+)、Er^(3+)掺杂Tb_2(MoO_4)_3发光性能研究被引量：2
《大连交通大学学报》2019年第1期77-80,共4页王玉平 付宇轩 张志华 陶华龙 
国家自然科学基金资助项目(51372027;51372026)
通过高温固相法制备了Re_xTb_(2-x)Mo_3O_(12)(Re=Eu,Er; x=1%,3%,5%)材料.研究了不同Eu^(3+)、Er^(3+)掺杂浓度对Tb_2(MoO_4)_3发光性能的影响.X射线衍射结果表明:合成样品为纯相,Eu^(3+)、Er^(3+)的掺杂并不改变Tb_2(MoO_4)_3的晶体结...
关键词：Tb2(MoO4)3 高温固相法 掺杂 
磷化钴(101)面析氢性能的第一性原理研究
《大连交通大学学报》2018年第2期85-88,93,共5页王登兴 陶华龙 张秋菊 张志华 
国家自然科学基金资助项目(51372027;51472254)
计算了磷化钴(101)面的吸附氢自由能以及掺杂不同3d金属元素(Cr、Fe、Ni、Cu、Ga)对其析氢性能的影响.研究表明:掺杂Co元素周期表右边的元素(Ni、Cu、Ga)会提高其析氢性能,且掺杂位置和掺杂浓度对其自由能变化影响很大,研究结果为理解C...
关键词：磷化钴 析氢反应 掺杂 
N掺杂6H-SiC电子结构的第一性原理计算被引量：2
《硅酸盐学报》2018年第4期541-549,共9页林龙 祝令豪 徐永豪 张志华 陶华龙 黄敬涛 王朋涛 李先宏 张战营 赵瑞奇 
国家自然科学基金项目(21303041,51372027,51372026,51372056,51172065);河南省自然科学基金(162300410116);河南理工大学创新型科研团队支持计划项目(T2016-2)
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法，对本征6H-SiC和Si空位、C空位、N掺杂6H-SiC的电子结构及磁性进行了计算。计算结果表明：本征6H-SiC和单一的N掺杂6H-SiC均没有磁性，但可以通过Si空位的引入产生自旋极化。在N和Si空...
关键词：稀磁半导体 电子结构 磁性 第一性原理 6H-碳化硅 
Co掺杂4H-SiC电子结构的第一性原理计算被引量：7
《中国有色金属学报》2017年第10期2114-2119,共6页林龙 祝令豪 李先宏 张志华 何明 陶华龙 徐永豪 张战营 曹建亮 
国家自然科学基金资助项目(51172065;51372027;51372026;51372056)~~
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法研究Co掺杂4H-SiC的电子结构和磁性。计算结果表明:Co掺杂引入了空穴,产生自旋极化。Co掺杂4H-SiC的价带顶和导带底分别由Co的3d态和C的2p态占据,而Si的2p轨道作用较小。通过计算10种可...
关键词：稀磁性半导体 电子结构 磁性 第一性原理 4H-SIC 
3C-SiC电子结构和磁性的第一性原理计算被引量：3
《硅酸盐学报》2016年第11期1668-1673,共6页林龙 李先宏 张波 张战营 张志华 陶华龙 何明 
国家自然科学基金(51172065)资助项目
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,分别计算了Si空位、单个Al、Al与Si空位共掺杂3C-Si C的电子结构和磁性。结果表明:本征3C-Si C没有磁性,单一的Al掺杂对其磁性的改进也没有影响,但可以通过Si空位的引入产生自旋极化。...
关键词：稀磁半导体 电子结构 磁性 第一性原理 3C-碳化硅 
Cr掺杂4H-SiC电子结构的第一性原理计算被引量：4
《大连交通大学学报》2015年第4期80-83,共4页林龙 刘铁铮 陶华龙 张志华 
国家自然科学基金资助项目(51372027)
通过第一性原理计算研究了Cr掺杂4H-SiC电子结构和磁性.计算结果表明Cr掺杂引入空穴,产生自旋极化,Cr原子提供局域磁矩.计算了14种可能的掺杂组态,确定了最稳定的组态.磁耦合计算表明Cr原子磁矩通过Cr0:3d-C∶2p-Cr1∶3d链耦合,处于铁...
关键词：稀磁半导体 电子结构 磁性 第一性原理 4H-SIC 
4H-SiC基稀磁半导体的电子结构被引量：3
《大连交通大学学报》2013年第3期74-78,共5页黄国亮 张志华 陶华龙 
通过第一性原理计算研究3d过渡金属元素(TM)掺杂六方结构碳化硅(4H-SiC)晶体和Al、TM共掺杂4H-SiC晶体的总能和磁学性质.掺杂4H-SiC结构的稳定性取决于TM和Si原子的化学势.结果发现在TM掺杂4H-SiC体系中,掺杂Ti的结构是最稳定的,而Al、T...
关键词：稀磁半导体(DMS) 电子结构 掺杂 
氧空位对钴掺杂氧化锌稀磁半导体电子结构的影响
《大连交通大学学报》2012年第5期85-89,共5页陶华龙 张志华 黄国亮 
国家自然科学基金资助项目(50902014)
通过第一性原理计算对Co掺杂ZnO稀磁半导体的磁学性质和电子结构进行了研究.对氧空位出现在不同位置时体系总能进行计算,证实氧空位更容易在Co原子附近生成.电子结构计算表明Co-3d自旋电子在费米能级附近产生了自旋极化现象,提供局域磁...
关键词：磁性半导体 缺陷 电子结构 第一性原理 
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