张志华

作品数：18被引量：36H指数：4
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供职机构：大连交通大学更多>>
发文主题：电子结构稀磁半导体第一性原理计算第一性原理4H-SIC更多>>
发文领域：一般工业技术理学化学工程电子电信更多>>
发文期刊：《大连交通大学学报》《硅酸盐学报》《化纤与纺织技术》《电子显微学报》更多>>
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Ti掺杂LiZnAs的电子结构和磁学性能被引量：2
《大连交通大学学报》2022年第1期68-72,共5页王满富 何明 崔岩 陶华龙 张志华 
国家自然科学基金资助项目(51872034,52072058,51722205);辽宁省科学技术研究计划资助项目(2020JH2/10100012);辽宁省兴辽计划资助项目(XLYC1807173);国家民族事务委员会新能源与稀土资源利用重点实验室课题资助项目(NERE201905);大连市技术创新基金资助项目(2020JJ26GX043)。
通过采用第一性原理计算,研究Ti不同掺杂位置对LiZnAs电子结构和磁学性能的影响.在Ti原子附近,随机位置添加Li间隙原子,进而为掺杂体系引入电子载流子,研究电子载流子对掺杂体系磁稳定性的影响.结果表明:Li(ZnTi)As体系的磁性起源于p-d...
关键词：第一性原理计算 电子结构 磁学性能 LiZnAs 电子载流子 
碳纤维复合材料一体化成型及其在无人机领域的应用被引量：7
《化纤与纺织技术》2021年第7期97-98,共2页刘向 徐维 梁瑶 张志华 武素梅 
文章介绍了一种新型的碳纤维复合材料的一体化成型技术,采用弹性内模具和不锈钢外模具结合的真空内压方法,得到的机翼可以应用在无人机等领域,对比传统的模压法等工艺有明显优势。一体成型技术采用一体化成型工艺一次成型,克服了传统的...
关键词：碳纤维复合材料 无人机 一体成型技术 
焦耳热效应、电击穿和应力对单根GaN纳米线I-V曲线的影响被引量：1
《大连交通大学学报》2019年第3期92-96,共5页陈晓 王岩国 谷林 张志华 
国家自然科学基金资助项目(51372027、11274365、51172193、51522212、51421002)
利用原位透射电子显微术,研究了单根GaN纳米线I-V曲线与热效应、电击穿和压电效应的关系.在透射电子显微镜内构建一个基于GaN纳米线的金属-半导体-金属结构,测量单根纳米线的I-V曲线.随着连续测量次数的增加,纳米线的温度升高,电流逐渐...
关键词：GAN纳米线 I-V曲线 焦耳热效应 电击穿 压电效应 
焦耳热效应、电击穿和应力对单根GaN纳米线Ⅰ-Ⅴ曲线的影响
《大连交通大学学报》2019年第2期6-6,共1页陈晓 王岩国 谷林 张志华 
利用原位透射电子显微术,研究了单根GaN纳米线Ⅰ-Ⅴ曲线与热效应、电击穿和压电效应的关系.在透射电子显微镜内构建一个基于GaN纳米线的金属-半导体-金属结构,测量单根纳米线的Ⅰ-Ⅴ曲线.随着连续测量次数的增加,纳米线的温度升高,电流...
关键词：纳米线 电击穿 GAN 
Eu^(3+)、Er^(3+)掺杂Tb_2(MoO_4)_3发光性能研究被引量：2
《大连交通大学学报》2019年第1期77-80,共4页王玉平 付宇轩 张志华 陶华龙 
国家自然科学基金资助项目(51372027;51372026)
通过高温固相法制备了Re_xTb_(2-x)Mo_3O_(12)(Re=Eu,Er; x=1%,3%,5%)材料.研究了不同Eu^(3+)、Er^(3+)掺杂浓度对Tb_2(MoO_4)_3发光性能的影响.X射线衍射结果表明:合成样品为纯相,Eu^(3+)、Er^(3+)的掺杂并不改变Tb_2(MoO_4)_3的晶体结...
关键词：Tb2(MoO4)3 高温固相法 掺杂 
磷化钴(101)面析氢性能的第一性原理研究
《大连交通大学学报》2018年第2期85-88,93,共5页王登兴 陶华龙 张秋菊 张志华 
国家自然科学基金资助项目(51372027;51472254)
计算了磷化钴(101)面的吸附氢自由能以及掺杂不同3d金属元素(Cr、Fe、Ni、Cu、Ga)对其析氢性能的影响.研究表明:掺杂Co元素周期表右边的元素(Ni、Cu、Ga)会提高其析氢性能,且掺杂位置和掺杂浓度对其自由能变化影响很大,研究结果为理解C...
关键词：磷化钴 析氢反应 掺杂 
N掺杂6H-SiC电子结构的第一性原理计算被引量：2
《硅酸盐学报》2018年第4期541-549,共9页林龙 祝令豪 徐永豪 张志华 陶华龙 黄敬涛 王朋涛 李先宏 张战营 赵瑞奇 
国家自然科学基金项目(21303041,51372027,51372026,51372056,51172065);河南省自然科学基金(162300410116);河南理工大学创新型科研团队支持计划项目(T2016-2)
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法，对本征6H-SiC和Si空位、C空位、N掺杂6H-SiC的电子结构及磁性进行了计算。计算结果表明：本征6H-SiC和单一的N掺杂6H-SiC均没有磁性，但可以通过Si空位的引入产生自旋极化。在N和Si空...
关键词：稀磁半导体 电子结构 磁性 第一性原理 6H-碳化硅 
Co掺杂4H-SiC电子结构的第一性原理计算被引量：7
《中国有色金属学报》2017年第10期2114-2119,共6页林龙 祝令豪 李先宏 张志华 何明 陶华龙 徐永豪 张战营 曹建亮 
国家自然科学基金资助项目(51172065;51372027;51372026;51372056)~~
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法研究Co掺杂4H-SiC的电子结构和磁性。计算结果表明:Co掺杂引入了空穴,产生自旋极化。Co掺杂4H-SiC的价带顶和导带底分别由Co的3d态和C的2p态占据,而Si的2p轨道作用较小。通过计算10种可...
关键词：稀磁性半导体 电子结构 磁性 第一性原理 4H-SIC 
3C-SiC电子结构和磁性的第一性原理计算被引量：3
《硅酸盐学报》2016年第11期1668-1673,共6页林龙 李先宏 张波 张战营 张志华 陶华龙 何明 
国家自然科学基金(51172065)资助项目
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,分别计算了Si空位、单个Al、Al与Si空位共掺杂3C-Si C的电子结构和磁性。结果表明:本征3C-Si C没有磁性,单一的Al掺杂对其磁性的改进也没有影响,但可以通过Si空位的引入产生自旋极化。...
关键词：稀磁半导体 电子结构 磁性 第一性原理 3C-碳化硅 
Cr掺杂4H-SiC电子结构的第一性原理计算被引量：4
《大连交通大学学报》2015年第4期80-83,共4页林龙 刘铁铮 陶华龙 张志华 
国家自然科学基金资助项目(51372027)
通过第一性原理计算研究了Cr掺杂4H-SiC电子结构和磁性.计算结果表明Cr掺杂引入空穴,产生自旋极化,Cr原子提供局域磁矩.计算了14种可能的掺杂组态,确定了最稳定的组态.磁耦合计算表明Cr原子磁矩通过Cr0:3d-C∶2p-Cr1∶3d链耦合,处于铁...
关键词：稀磁半导体 电子结构 磁性 第一性原理 4H-SIC 
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