陈鹏

作品数：2被引量：5H指数：2
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供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
发文主题：直拉单晶硅光衰减硅N型电子迁移率更多>>
发文领域：理学化学工程电子电信电气工程更多>>
发文期刊：《材料导报》《材料科学与工程学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
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n型补偿直拉单晶硅的电子迁移率被引量：3
《材料科学与工程学报》2015年第1期5-8,4,共5页易俊 陈鹏 马向阳 杨德仁 
国家自然科学基金资助项目(60906001);国家科技重大专项资助项目(2010ZX02301-003)
通过霍尔效应测量、二次离子质谱等手段研究了n型硼-磷补偿直拉单晶硅的电子迁移率与掺杂浓度的关系。通过比较迁移率的实验测量值和由Klaassen迁移率模型得到的计算值,发现Klaassen模型适用于掺杂浓度在1018cm-3数量级的补偿单晶硅电...
关键词：电子迁移率 补偿 硅 
《半导体材料》课程改革被引量：2
《材料导报》2012年第1期108-109,118,共3页杨德仁 陈鹏 皮孝东 
根据《半导体材料》课程的自身特点,对该课程在教学内容、教学形式和教学考核上进行了综合改革。改革目的在于探索培养高素质半导体材料人才的教学方法,提升学生的自我学习能力、资料收集和整合能力以及在半导体材料领域的创新能力。
关键词：半导体材 料教学改革 教学考核 
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