皮孝东

作品数：31被引量：66H指数：5
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发文主题：硅量子点碳化硅太阳电池硅神经突触更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术理学化学工程更多>>
发文期刊：《太阳能学报》《中国科学：技术科学》《材料科学与工程学报》《中国材料进展》更多>>
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4H-SiC基功率器件的high-k栅介质材料研究进展
《人工晶体学报》2024年第12期2027-2042,共16页刘帅 宋立辉 杨德仁 皮孝东 
浙江大学杭州国际科创中心人才专项(02010600-K02013005)。
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为碳化硅绝缘栅结构的典型器件被广泛使用,然而SiO_(2)介电常数低的缺点和SiO_(2)/4H-SiC界面特性差的问题一直制约着4H-SiC绝缘栅结构(金属-绝缘体-半导体,MIS)器件更大规模商业化应用,因此科...
关键词：4H-SiC MOS电容器 high-k栅介质材料 堆栈栅介质 界面特性 电学性能 
电子辐照对4H-SiC MOS材料缺陷的影响
《人工晶体学报》2024年第9期1536-1541,共6页刘帅 熊慧凡 杨霞 杨德仁 皮孝东 宋立辉 
浙江大学杭州国际科创中心人才专项。
4H-SiC金属氧化物半导体(MOS)基器件在电子辐照环境下应用时可能产生新的材料缺陷,导致其电学性能发生退化。本文选取结构最简单的MOS基器件(4H-SiC MOS电容器)为对象,研究了一系列电子辐照剂量下材料缺陷的演变情况。在10 MeV电子束下...
关键词：4H-SiC MOS 电子辐照 缺陷变化 双碳间隙原子 深能级瞬态谱 
半导体碳化硅衬底的湿法氧化
《人工晶体学报》2024年第2期181-193,共13页鲁雪松 王万堂 王蓉 杨德仁 皮孝东 
国家自然科学基金(62274143,62204216);浙江省“尖兵”“领雁”研发计划(2022C01021,2023C01010);杭州市领军型创新创业引进培育计划(TD2022012);中央高校基本科研经费(226-2022-00200)。
半导体碳化硅(4H-SiC)材料具有硬度高、脆性大、化学性质稳定等特点,一般使用化学机械抛光工艺来加工4H-SiC以获得超光滑平坦表面。湿法氧化作为单晶4H-SiC化学机械抛光的重要过程,直接影响着化学机械抛光的速率和表面质量。本文综述了...
关键词：碳化硅 半导体 加工 湿法氧化 化学机械抛光 材料去除率 
碳化硅单晶加工对晶片表面质量的影响
《材料科学与工程学报》2024年第1期9-13,共5页张序清 刘晓双 张玺 朱如忠 高煜 吴琛 王蓉 杨德仁 皮孝东 
浙江省“尖兵”“领雁”研发攻关计划资助项目(2022C01021);国家重点研发计划资助项目(2018YFB2200101);国家自然科学基金重大研究计划资助项目(91964107)。
碳化硅(4H-SiC)晶片加工是制备高品质衬底晶圆的关键工艺,衬底晶圆的表面质量直接影响外延薄膜以及后续器件的性能。本研究通过对4H-SiC晶片经线切割、磨削、研磨、抛光等不同加工工序后对应的表面形貌、粗糙度、机械性质和晶体质量的分...
关键词：碳化硅 晶片加工 表面质量 各向异性 
基于硅/二维层状材料异质结的红外光电探测器研究进展
《材料导报》2024年第1期1-9,共9页贺亦菲 杨德仁 皮孝东 
红外光是一种频率介于微波和可见光范围之间的电磁波,在光通信、人工智能、医用治疗、军事探测和航空航天等领域具有广泛的应用。硅的带隙为1.12 eV,导致硅基光电探测器的截止波长短(约1.1 mm)。近年来,研究发现了新型二维层状材料,它...
关键词：硅 二维层状材料 异质结 红外光电探测器 
碳化硅晶圆的表面/亚表面损伤研究进展被引量：1
《人工晶体学报》2023年第11期1907-1921,共15页李国峰 陈泓谕 杭伟 韩学峰 袁巨龙 皮孝东 杨德仁 王蓉 
国家自然科学基金(62274143,U22A2075,12204161,U20A20293);浙江省“尖兵”“领雁”研发计划(2022C01021);国家重点研发计划(2018YFB2200101);中央高校基本科研经费(2018XZZX003-02);国家自然科学基金创新群体(61721005)。
表面无损伤、粗糙度低的半导体碳化硅(4H-SiC)衬底是制造电力电子器件和射频微波器件的理想衬底材料,在新能源、轨道交通、智能电网和5G通信等领域具有广阔的应用前景。4H-SiC衬底的加工过程包括切片、减薄、研磨、抛光和清洗,在4H-SiC...
关键词：半导体 4H-SIC 衬底晶圆 表面/亚表面损伤 晶圆加工 
数值模拟顶部籽晶溶液生长法制备单晶碳化硅的研究进展被引量：2
《人工晶体学报》2023年第6期1067-1085,共19页隋占仁 徐凌波 崔灿 王蓉 杨德仁 皮孝东 韩学峰 
国家自然科学基金面上项目(61721005);国家自然科学基金青年科学基金(52202189);浙江省“尖兵”“领雁”研发攻关计划(2022C01021,2023C01010)。
宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)凭借着其高击穿场强、高热导率、耐高温、高化学稳定性和抗辐射等优异性能,在电力电子器件领域尤其是高温、高频、高功率等应用场景下有着巨大潜力。大尺寸、高质量、低成本的单晶SiC的制备是SiC相关半导体...
关键词：宽禁带半导体 碳化硅 顶部籽晶溶液生长法 数值模拟 有限元 晶体生长 机器学习 
线锯切片技术及其在碳化硅晶圆加工中的应用被引量：3
《人工晶体学报》2023年第3期365-379,共15页张俊然 朱如忠 张玺 张序清 高煜 陆赟豪 皮孝东 杨德仁 王蓉 
浙江省“尖兵”“领雁”研发攻关计划(2022C01021);国家自然科学基金(91964107,U20A20209);国家自然科学基金创新研究群体项目(61721005)。
作为制备半导体晶圆的重要工序,线锯切片对半导体晶圆的质量具有至关重要的影响。本文以发展最成熟的硅材料为例,介绍了线锯切片技术的基本理论,特别介绍了线锯切片技术的力学模型和材料去除机理,并讨论了线锯制造技术及切片工艺对材料...
关键词：线锯切片 硬脆材料 单晶碳化硅 晶圆加工 砂浆线切割 金刚线切割 
4H(6H)-SiC表面重构的STM/STS研究
《真空科学与技术学报》2023年第3期191-201,共11页卢慧 王昊霖 杨德仁 皮孝东 
半导体碳化硅由于具有宽的带隙,高的导热系数以及大的电子迁移率等优点,使其成为一种在高温、高频、大功率电子器件中具有应用前景的材料。碳化硅器件的性能受表面和界面质量的影响。在高温条件下退火碳化硅表面的重构,形貌也会发生变化...
关键词：碳化硅 4H(6H) 表面重构 扫描隧道显微镜/扫描隧道谱 
氧化铝增强的PdSe_(2)/Si异质结光电探测器
《浙江大学学报（工学版）》2023年第1期190-199,共10页贺亦菲 杨德仁 皮孝东 
国家重点研发计划资助项目(2017YFA0205700,2018YFB2200101)。
为了降低暗电流,通过原子层沉积(ALD)生长了一层氧化铝(Al_(2)O_(3))隧穿层,制备了PdSe_(2)/Al_(2)O_(3)/Si异质结光电探测器.通过优化Al_(2)O_(3)层的厚度,使得该探测器实现了高速和宽光谱响应.研究结果表明,在波长为808 nm的光照射和-...
关键词：硅 二硒化钯 异质结 原子层沉积(ALD) 快速光响应 隧穿光电探测器 
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