张少昆

作品数：4被引量：61H指数：4
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供职机构：中国科学院电工研究所更多>>
发文主题：驱动电路SIC电机控制器保护信号功率模块更多>>
发文领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《电工技术学报》《北京信息科技大学学报（自然科学版）》《中国电机工程学报》更多>>
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基于分立器件并联的高功率密度碳化硅电机控制器研究被引量：4
《电工技术学报》2023年第22期5999-6014,共16页张少昆 孙微 范涛 温旭辉 张栋 
十四五国家重点研发计划资助项目(2022YFB2502800)。
新能源车用的电机控制器通常通过大功率模块来完成,但大功率模块一般成本比较高,体积比较大,资源也有限。该文基于SiC MOSFET分立器件并联设计了一种高功率密度电机控制器,为了从电气和散热角度最大程度地提升材料和空间利用率,实现高...
关键词：SiC MOSFET 分立器件并联 高功率密度 印制电路板(PCB)叠层母排 
SiC MOSFET开关损耗测试方法研究被引量：11
《中国电机工程学报》2020年第9期2975-2982,共8页郑丹 张少昆 李磊 曹瀚 范涛 宁圃奇 张瑾 温旭辉 
国家重点研发计划项目(2018YFB0104700)。
准确测量金属氧化物半导体场效应晶体管(metaloxide-semiconductor,MOSFET)开关损耗,是正确评估碳化硅(silicon carbide,SiC)MOSFET开关特性、优化驱动电路、降低损耗的前提。由于SiC MOSFET具有较高的开关速度,传统的双脉冲测试方法存...
关键词：碳化硅MOSFET 开关损耗 延时补偿 振荡 
电动汽车用高功率密度碳化硅电机控制器研究被引量：43
《中国电机工程学报》2019年第19期5624-5634,共11页张栋 范涛 温旭辉 宁圃奇 李磊 邰翔 李晔 段卓琳 何国林 张少昆 郑丹 
国家重点研发计划项目(2016YFB0100600)~~
碳化硅(Siliconcarbide,SiC)作为世界公认的替代硅(Silicon,Si)的下一代半导体材料,具有耐压高、开关速度快、开关损耗小的优势,是实现车用电机控制器功率密度提升的关键要素。该文针对构成SiC控制器的关键部件,研究SiC金属氧化物场效...
关键词：SiC电机控制器 SIC MOSFET模块 薄膜电容器 电子系统 EMI滤波器 
球上平衡移动机器人线性二次型最优控制被引量：4
《北京信息科技大学学报（自然科学版）》2013年第6期91-96,共6页贾中华 张少昆 
对一种在球上平衡的轮式移动机器人系统进行了动力学分析,运用拉格朗日方程法建立了其动力学模型,根据系统的特点提出了一种线性二次型最优控制方法,用于机器人的控制。仿真结果表明,所设计的线性二次型最优控制器可以有效地实现球上平...
关键词：球上平衡移动机器人 动力学模型 线性二次型最优控制 
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