丁艳

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供职机构：北京交通大学电子信息工程学院全光网络与现代通信网教育部重点实验室更多>>
发文主题：SRAM静态存储器稳定性电流噪声容限更多>>
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8Transistors SRAM稳定性分析与验证
《微处理机》2013年第2期1-5,共5页丁艳 刘章发 
针对8transistors(8T)静态随机存储器(SRAM)存储单元的基本结构,详细研究分析了影响存储单元稳定性性能的因素。为了提升SRAM的稳定性和控制SRAM面积,提出了一种提升稳定性的同时又能有效控制芯片面积的技术方案。在SMIC 40nm工艺条件下...
关键词：静态存储器 稳定性 预充电 噪声容限 写容限 读电流 
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