徐弘毅

作品数：2被引量：112H指数：2
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供职机构：浙江大学电气工程学院更多>>
发文主题：绝缘栅双极型晶体管功率器件晶闸管结型场效应晶体管门极更多>>
发文领域：电气工程电子电信更多>>
发文期刊：《机电工程》《中国电机工程学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金浙江省教育厅科研计划国家电网公司科技项目更多>>
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碳化硅功率器件技术综述与展望被引量：109
《中国电机工程学报》2020年第6期1741-1752,共12页盛况 任娜 徐弘毅 
国家重点研发计划项目(2018YFB0905703);国家自然科学基金项目(51777187,U1766222)。
碳化硅(silicon carbide,Si C)器件作为一种宽禁带半导体器件,具有耐高压、高温,导通电阻低等优点。近20年来,Si C器件是国内外学术界和企业界的一大研究热点,该文对近些年来不同Si C器件的发展进行分类梳理,介绍二极管、结型场效应晶...
关键词：碳化硅 功率器件 二极管 结型场效应晶体管 金氧半场效晶体管 绝缘栅双极型晶体管 门极可断晶闸管 
封装键合点对IGBT UIS失效的影响研究被引量：3
《机电工程》2015年第5期707-711,共5页李琦 徐弘毅 金锐 谢刚 郭清 盛况 
国家电网公司科技资助项目(SGRI-WD-71-14-005);浙江省教育厅科研资助项目(Y201329864);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(2014FZA4014)
为了解决绝缘栅双极型晶体管在实际应用当中的典型关断失效问题,对其在电感无钳位开关条件下的电压应力、电流应力、雪崩能力以及失效模式进行了研究。基于电感无钳位开关测试电路,着重探讨了UIS条件下IGBT的击穿机理。封装打线时将铝...
关键词：绝缘栅双极型晶体管 UIS 失效分析 
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