荆丽

作品数：2被引量：16H指数：2
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供职机构：兰州交通大学电子与信息工程学院更多>>
发文主题：PSRR共源共栅自偏置电源抑制比带隙基准电压源更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微电子学》《半导体技术》更多>>
所获基金：兰州市科技发展计划项目甘肃省科技支撑计划更多>>
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高性能CMOS运算放大器的设计被引量：6
《微电子学》2011年第1期19-22,共4页王好德 王永顺 史琳 荆丽 赵文浩 
甘肃省科技支撑计划项目(097GKCA052);兰州市科技发展计划项目(2009-1-1)
基于0.5μm标准CMOS工艺,利用折叠式共源共栅电路和简单放大器级联结构,设计了一种增益高、建立时间短、稳定性好和电源抑制比高的低压CMOS运算放大器。用CadenceSpectre对电路进行优化设计,整个电路在3.3 V工作电压下进行仿真,其直流...
关键词：运算放大器 折叠式共源共栅 模拟集成电路 CMOS 
低温漂高PSRR新型带隙基准电压源的研制被引量：10
《半导体技术》2010年第5期503-506,共4页吴蓉 张娅妮 荆丽 
兰州市科技发展计划资助项目(2009-1-1)
利用带隙电压基准的基本原理,结合自偏置共源共栅电流镜以及适当的启动电路,设计了一种新型基准电压源。获得了一个低温度系数、高电源抑制比的电压基准。通过对输出端添加运算放大器,把带隙基准电路产生的1.2 V电压提高到3.5 V,提高了...
关键词：基准电压源 自偏置 共源共栅 温度系数 电源抑制比 
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