宋立凡

作品数：1被引量：2H指数：1
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供职机构：江南大学信息工程学院更多>>
发文主题：NMOS锗硅有限元应变硅更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》更多>>
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应变硅NMOS晶体管沟道应变的模拟研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》2009年第2期175-178,共4页张庆东 周东 顾晓峰 宋立凡 于宗光 
江苏省高等学校大学生实践创新训练计划;教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-06-0484)
建立了一种基于硅/锗硅异质结构的应变硅NMOS晶体管的有限元模型,通过模拟研究了沟道区的应变分布及其与器件参数的关系。结果表明,提高锗硅虚拟衬底中锗的摩尔组分、减小应变硅层厚度,可以增加沟道应变。此外,应变量还随器件结构长度...
关键词：应变硅 锗硅 N沟道金属氧化物半导体 有限元 模拟 
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