张庆东

作品数：4被引量：2H指数：1
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供职机构：江南大学信息工程学院更多>>
发文主题：应变硅有限元NMOS锗硅MOSFET更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微电子学》《半导体技术》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”教育部留学回国人员科研启动基金江苏省高等学校大学生实践创新训练计划项目更多>>
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纳米级应变硅MOSFET的有限元与TCAD模拟研究
《固体电子学研究与进展》2011年第1期40-43,共4页张庆东 周东 顾晓峰 
教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-06-0484);教育部留学回国人员科研启动基金(教外司留[2008]890);江南大学自主科研计划资助(JUSRP20914)
基于有限元方法对一款具有SiGe源/漏结构的纳米PMOSEFT进行了建模与分析,沟道应变的计算结果与CBED实验测量值呈现良好的一致性,最小误差仅为1.02×10-4。对新型的SiC源/漏结构的纳米NMOSFET的类似研究表明,栅长越短,应变对沟道的影响...
关键词：应变硅 金属氧化物半导体场效应管 有限元分析 工艺与器件的计算机辅助设计 
基于SGOI和CESL结构的新型应变硅NMOSFET的有限元研究
《微电子学》2010年第3期444-447,共4页周东 张庆东 顾晓峰 
教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-06-0484);教育部留学回国人员科研启动基金(教外司留[2008]890)
应变硅技术通过在沟道区引入适当的应变,达到提高载流子迁移率、改善MOS器件性能的目的。利用有限元法,研究了一种基于SGOI与氮化硅CESL应变结构的新型应变硅NMOS-FET。结果表明,与采用单一的SGOI或CESL结构相比,两者共同作用下的新结...
关键词：应变硅 绝缘体上锗硅 接触孔刻蚀阻挡层 NMOS场效应管 有限元分析 
应变硅NMOS晶体管沟道应变的模拟研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》2009年第2期175-178,共4页张庆东 周东 顾晓峰 宋立凡 于宗光 
江苏省高等学校大学生实践创新训练计划;教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-06-0484)
建立了一种基于硅/锗硅异质结构的应变硅NMOS晶体管的有限元模型,通过模拟研究了沟道区的应变分布及其与器件参数的关系。结果表明,提高锗硅虚拟衬底中锗的摩尔组分、减小应变硅层厚度,可以增加沟道应变。此外,应变量还随器件结构长度...
关键词：应变硅 锗硅 N沟道金属氧化物半导体 有限元 模拟 
多应力结构CMOS器件的模拟研究
《半导体技术》2008年第12期1054-1056,1083,共4页施昊 周东 张庆东 顾晓峰 
教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-06-0484)
使用TCAD仿真工具Sentaurus在45 nm节点工艺下模拟研究了包含多应力结构的应变Si CMOS器件。模拟所得的开关电流比与相同节点工艺下报道的实验结果能很好吻合,验证了所用模型及方法的正确性。用Sentaurus工艺模拟工具得到了器件内部的...
关键词：多应力结构 应变硅 互补金属氧化物半导体 模拟 
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