卢殿清

作品数:1被引量:0H指数:0
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供职机构:南京大学物理学院物理学系更多>>
发文主题:GAN结构特性英文更多>>
发文领域:电子电信更多>>
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侧向外延生长GaN的结构特性(英文)
《发光学报》2001年第z1期53-56,共4页张荣 顾书林 修向前 卢殿清 沈波 施毅 郑有炓 KUAN T S 
国家"8 6 3"基金资助项目 ( 2 0 0 0 0 6 83);国家自然科学基金资助项目 ( 6 9976 0 14 ,6 96 36 0 10 ,6 980 6 0 0 6 ,6 99870 0 1)~~
研究了在刻有图形的GaN“衬底”上用HVPE方法侧向外延生长 (ELO)GaN的结构特性。在SiO2 衬底上侧向外延生长GaN已经实现 ,并得到了平面的ELOGaN薄膜。采用扫描电子显微镜、透射电微镜和原子力显微镜技术研究了这种ELOGaN材料的结构和表...
关键词:GAN 侧向外延生长 氢化汽相外延 
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