刘素娟

作品数:2被引量:7H指数:2
导出分析报告
供职机构:西安理工大学更多>>
发文主题:SIC热应力数值模拟晶体质量缺陷密度更多>>
发文领域:理学更多>>
发文期刊:《人工晶体学报》更多>>
所获基金:西安应用材料创新基金更多>>
-

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
条 记 录,以下是1-2
视图:
排序:
SiC籽晶表面状态对晶体质量的影响被引量:3
《人工晶体学报》2012年第2期294-297,共4页杨莺 刘素娟 陈治明 林生晃 李科 杨明超 
为了研究表面状态对晶体质量的影响,本文分别采用腐蚀后抛光与未抛光的晶片作为籽晶,利用金相显微镜对所得晶体进行了显微观察,结果表明:经过腐蚀后抛光的籽晶生长出的晶体质量高于未抛光籽晶所得晶体;生长前端的位错尺寸以及数量小于...
关键词:SiC籽晶 表面状态 腐蚀 抛光 缺陷密度 
PVT法生长SiC过程生长界面形状对热应力的影响被引量:4
《人工晶体学报》2012年第1期24-27,共4页杨明超 陈治明 封先锋 林生晃 李科 刘素娟 刘宗芳 
西安应用材料创新基金(XA-AM-201013)
PVT法生长SiC过程中晶体内部的热应力是其位错产生的主要原因,而生长界面的形状对晶体热应力及缺陷的产生都有一定影响。本文对不同生长界面晶体的温场及应力场进行了数值分析,结果显示相对于凸出及平整界面的晶体,微凹界面晶体的轴向...
关键词:SIC 数值模拟 缺陷 热应力 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部