陈小松

作品数：2被引量：1H指数：1
导出分析报告
供职机构：华中师范大学物理科学与技术学院更多>>
发文主题：CU电学性能性能研究工艺参数更多>>
发文领域：化学工程更多>>
发文期刊：《信息记录材料》更多>>
所获基金：国家大学生创新性实验计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
Cu_3N薄膜制备及其性能研究
《信息记录材料》2010年第4期60-64,共5页张昌印 陈小松 尹玉丽 吴绍彬 杨磊 黄致新 
国家大学生创新性实验项目基金资助
Cu3N薄膜的晶面取向、沉积速率、电学特性等性质除与制备方法有关外,还和制备工艺参数有很大关系。溅射法制备Cu3N薄膜工艺参数主要有,混合气体(N2+Ar)中氮气分压比r、基底温度T(℃)、溅射功率P(W)。为了研究Cu3N薄膜的性能与其制备工...
关键词：Cu3N薄膜 工艺参数 性能 
Ni掺杂对Cu_3N薄膜结构与性能的影响被引量：1
《信息记录材料》2010年第3期52-55,共4页陈小松 尹玉丽 张昌印 吴绍彬 杨磊 黄致新 
国家大学生创新性实验项目基金资助
采用射频反应磁控溅射方法在玻璃基底上制备了Ni掺杂Cu3N薄膜,并研究了Ni掺杂对Cu3N的结构、电学性能和光学性能的影响。研究发现:Ni的加入使得Cu3N薄膜的(111)晶面向小角度偏移;随着Ni含量的增加,Cu3N薄膜的电阻率从1450×10-6Ω.cm减...
关键词：Cu3N薄膜 Ni掺杂 电学性能 光学能隙 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部