云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 杨艳

杨艳: 作品数：1被引量：0H指数：0; 导出分析报告; 供职机构：西安电子科技大学微电子学院微电子研究所更多>>; 发文主题：ICPNI/AU感应耦合等离子体刻蚀损伤肖特基接触更多>>; 发文领域：电子电信更多>>; 发文期刊：《半导体技术》更多>>; 所获基金：国家重点基础研究发展计划更多>>

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ICP刻蚀损伤对n-Ga N-Ni/Au肖特基接触特性的影响: 《半导体技术》2007年第1期40-42,81,共4页刘杰王冲冯倩张进诚郝跃杨艳龚欣; 国家973计划项目(513270407);国家科技预研项目(41308060106);国家科技重点实验室基金项目(51433040105DZ0102);国家973重点基础研究发展计划(2002CB3119); 通过电流-电压法(I-V),电容-电压法(C-V)对n-GaN材料的ICP(感应耦合等离子体)刻蚀样品和未刻蚀样品上的肖特基势垒二极管的电学特性进行了分析。利用原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)对刻蚀样品的表面形貌,以及退火前后肖特基接触金属...; 关键词：感应耦合等离子体氮化镓肖特基接触刻蚀损伤退火