李静思

作品数：1被引量：1H指数：1
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供职机构：西安交通大学电子与信息工程学院电子陶瓷与器件教育部重点实验室更多>>
发文主题：氮化镓NA助熔剂法更多>>
发文领域：理学更多>>
发文期刊：《人工晶体学报》更多>>
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Na助熔剂法生长氮化镓晶体的研究进展被引量：1
《人工晶体学报》2013年第10期1983-1991,共9页周明斌 李振荣 李静思 吴熙 范世马■ 徐卓 
以高质量GaN单晶基片作为衬底实现GaN的同质外延生长,是获得GaN半导体器件优异性能的基础。高质量GaN单晶基片的缺乏已成为国际范围制约GaN器件发展的瓶颈。在GaN体单晶的几种生长方法中,由于Na助熔剂法的生长条件相对温和且成本相对较...
关键词：氮化镓 体单晶 Na助熔剂法 进展 
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